[发明专利]一种芯片封装方法及芯片封装结构在审

专利信息
申请号: 201710800832.5 申请日: 2017-09-07
公开(公告)号: CN107706118A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 杨望来 申请(专利权)人: 维沃移动通信有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/055;H01L21/60
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静,安利霞
地址: 523860 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 方法 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及芯片封装技术,特别是涉及一种芯片封装方法及芯片封装结构。

背景技术

随着科技的发展,芯片的功能也越来越多样化,拥有MEMS(微机电系统,Micro Electro Mechanical System)类结构的芯片也越来越多,如SAW(表面声波,Surface Acoustic Wave)滤波器,BAW(体声波,Bulk Acoustic Wave)滤波器,FBAR(薄膜体声波谐振器,Film Bulk Acoustic Resonator)和MEMS麦克风等等。这些芯片的原始晶元表面上一些结构在工作的工程中需要振动,因此封装时不能被胶体覆盖。

目前的解决方案多为采用WLP(晶元级封装,Wafer Level Package)技术,在晶元表面将这些不能被胶体覆盖的区域上制作保护框架将其单独隔离,以防止封胶过程中胶体覆盖到芯片的工作区域。

但是,采用WLP技术其制造成本较高,而且由于保护框架本身具有一定的厚度,为了避免保护框架损坏以及在封胶过程中框架结构下面的胶体填充,需要增加芯片上凸点的高度来增加框架结构与基板之间的间隙,使得整个芯片厚度增加。这样,使得芯片厚度无法进一步减薄,无法满足移动和可穿戴终端对芯片厚度的要求。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片封装方法及芯片封装结构,以解决现有芯片封装技术无法使封装芯片的厚度减薄的问题。

第一方面,本发明实施例提供一种芯片封装方法,包括:

沿待封装芯片的边缘制作一圈保护膜;将所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接;在所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接之后,使所述保护膜至少部分熔融,与所述基板结合连接,所述待封装芯片与所述基板之间形成隔离空间;在所述待封装芯片的外围进行封胶处理。

第二方面,本发明实施例提供一种芯片封装结构,包括:

基板;

位于所述基板上的至少一芯片,所述芯片的边缘形成有一圈保护膜,与所述基板固定连接,通过所述保护膜,所述芯片与所述基板之间形成隔离空间;

封胶体,所述封胶体包覆所述芯片的外围。

本发明实施例的上述方案中,通过预先在待封装芯片的边缘制作一圈保护膜,并在待封装芯片形成有该保护膜的表面与基板对位连接后,将保护膜熔融,与基板结合连接,使待封装芯片与基板之间形成隔离空间,不仅保护待封装芯片的工作区域,防止封胶处理时胶水流到待封装芯片的工作区域导致芯片失效,而且实现了进一步减薄芯片封装结构的厚度的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例的芯片封装方法的流程图;

图2为本发明实施例执行步骤102后对应的硬件结构示意图;

图3为本发明实施例执行步骤103后对应的硬件结构示意图;

图4为本发明实施例芯片封装结构的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例的芯片封装方法的流程图。下面就该图具体说明该方法的实施过程。

步骤101,沿待封装芯片的边缘制作一圈保护膜。

这里,原始晶圆经过切割得到待封装芯片。该待封装芯片包括原始晶圆的芯片切割道部分(即待封装芯片的边缘)和待封装芯片本体。

该待封装芯片上具有MEMS结构,其中,MEMS结构在实际工作过程中一般需要一定的活动范围。

步骤102,将所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接。

具体的,待封装芯片上形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板相对。

步骤103,在所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接之后,使所述保护膜至少部分熔融,与所述基板结合连接,所述待封装芯片与所述基板之间形成隔离空间。

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