[发明专利]一种芯片封装方法及芯片封装结构在审
| 申请号: | 201710800832.5 | 申请日: | 2017-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN107706118A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
| 发明(设计)人: | 杨望来 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/055;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,安利霞 |
| 地址: | 523860 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 结构 | ||
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:
沿待封装芯片的边缘制作一圈保护膜;
将所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接;
在所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接之后,使所述保护膜至少部分熔融,与所述基板结合连接,所述待封装芯片与所述基板之间形成隔离空间;
在所述待封装芯片的外围进行封胶处理。
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述方法还包括:
沿待封装芯片的边缘制作一圈保护膜时,所述保护膜围绕所述待封装芯片的凸点设置;
其中,所述保护膜的高度小于或者等于所述待封装芯片的凸点的高度。
3.根据权利要求2所述的芯片封装方法,其特征在于,使所述保护膜至少部分熔融,与所述基板结合连接的同时,所述方法还包括:
使所述待封装芯片的凸点熔融,与所述基板结合连接。
4.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,沿待封装芯片的边缘制作一圈保护膜的步骤,包括:
通过压合工艺或印刷工艺,沿待封装芯片的边缘制作一圈保护膜。
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,将所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接的步骤,包括:
通过粘贴方式,将所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接。
6.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,使所述保护膜至少部分熔融,与所述基板结合连接的步骤,包括:
通过回流焊工艺,使所述保护膜至少部分熔融,与所述基板结合连接。
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,将所述待封装芯片形成有所述保护膜的表面与所述待封装芯片需要固定的基板对位连接的同时,所述方法还包括:
将被动元件与所述基板对位连接,所述被动元件包括:电容、电感和/或电阻。
8.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述保护膜的材料为干膜、工程塑料、片状膜塑料或芯片粘结膜材料。
9.一种采用如权利要求1~8任一项所述的芯片封装方法制作的芯片封装结构,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板上的至少一芯片,所述芯片的边缘形成有一圈保护膜,与所述基板固定连接,通过所述保护膜,所述芯片与所述基板之间形成隔离空间;
封胶体,所述封胶体包覆所述芯片的外围。
10.根据权利要求9所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构还包括:
位于所述基板上至少一被动元件,所述被动元件与所述基板固定连接;
其中,所述封胶体包覆所述被动元件的外围。
11.根据权利要求9所述的芯片封装结构,其特征在于,所述保护膜的材料为干膜、工程塑料、片状膜塑料或芯片粘结膜材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





