[发明专利]一种针对产品量测区域缺陷监控的方法

说明书

本发明提出一种针对产品量测区域缺陷监控的方法，包括：针对量测站点所选择的量测区域，将该区域设置为缺陷检测区域；根据该站点量测过程需要在芯片所选取的量测样本，缺陷检测程式将其所有的量测样本作为缺陷检测样本；重复对关键制成的每一步量测分别定义不同量测区域作为缺陷检测区域，并且定义需要量测的样本作为缺陷检测样本；定义缺陷检测程式中各缺陷检测样本进行对比的顺序安排；设定所有站点针对量测区域缺陷检测程式的灵敏度，完成各量测区域缺陷检测程式；在芯片完成制成到量测制成之前进行缺陷检测，发现量测区域是否存在异常。本发明用来监控产品的所有量测区域的缺陷状况，进而快速发现量测区域的缺陷异常，提高生产工作效率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种针对产品量测区域缺陷监控的方法。本发明属于半导体良率提升领域，涉及不同产品所有站点量测区域缺陷检测区域设定，以及在不同站点对产品相关量测区域进行缺陷侦测的新方法。

背景技术

半导体行业制造日新月异，产品的线宽在不断减小。产品生产过程包含百步以上不同的生产流程，对于每一步生产过程都需要进行质量监控，业界普遍采用在重要生产制成之后对该生产流程进行厚度，剂量，关键尺寸大小以及外观形貌进行定量检测。针对不同制成以及不同检测项目普遍会在芯片上选择不同的电路图形进行数据收集，而这些电路结构多设计在单元芯片(Single die)之间的scrubber line上面(芯片之间分界区域)，如图1所示。现有的缺陷检测方法普遍采用单元芯片之间进行对比来发现是否存在缺陷，而单元芯片之间的scrubber line不包含在缺陷检测区域之内。生产中常量测使用的电路结构区出现缺陷影响量测过程正常数据收集进而出现工程误判影响产品质量。现有生产中没有较好方法对所有量测区域进行缺陷检测，对缺陷引起的量测数值异常反映较慢影响生产过程。

发明内容

本发明提出一种针对产品量测区域缺陷监控的方法，用来监控产品的所有量测区域的缺陷状况，进而快速发现量测区域的缺陷异常，提高生产工作效率。

为了达到上述目的，本发明提出一种针对产品量测区域缺陷监控的方法，包括下列步骤：

步骤一：针对量测站点所选择的量测区域，将该区域设置为缺陷检测区域；

步骤二：根据该站点量测过程需要在芯片所选取的量测样本，缺陷检测程式将其所有的量测样本作为缺陷检测样本；

步骤三：重复步骤一和步骤二对关键制成的每一步量测分别定义不同量测区域作为缺陷检测区域，并且定义需要量测的样本作为缺陷检测样本；

步骤四：定义缺陷检测程式中各缺陷检测样本进行对比的顺序安排；

步骤五：设定所有站点针对量测区域缺陷检测程式的灵敏度，完成各量测区域缺陷检测程式。

进一步的，该方法还包括步骤六：在芯片完成制成到量测制成之前进行缺陷检测，发现量测区域是否存在异常。

进一步的，该方法针对单元芯片之间分界区域上面的量测区域进行缺陷检测。

进一步的，所述芯片版图按照横向和纵向分别进行划分单元芯片。

进一步的，所述缺陷检测设备为光学检测设备。

本发明提出的针对产品量测区域缺陷监控的方法，针对产品各量测站点需要量测的区域进缺陷检测，通过该方法可以快速发现量测区域是否存在缺陷异常，进而避免因为缺陷造成关键制成量测结果出现异常，影响对关键制成的实时监控，进而提高产品良率。

附图说明

图1所示为产品一个光罩定义的单元芯片以及之间scrubber line机构示意图。

图2所示为本发明较佳实施例的针对产品量测区域缺陷监控的方法流程图。

图3所示为有源区刻蚀后检测扫描区域设置示意图。