[发明专利]指纹识别芯片的封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种指纹识别芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；

导电结构，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；

指纹识别芯片，位于所述重新布线层的第一表面；所述指纹识别芯片包括功能区域及位于所述功能区域外侧的若干个金属焊盘，所述功能区域内设置有功能器件，所述金属焊盘位于所述指纹识别芯片的正面，且与所述功能器件电连接；所述指纹识别芯片经由所述金属焊盘与所述重新布线层接触连接；及

塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，将所述指纹识别芯片及所述导电结构封裹塑封，且所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面与所述导电结构远离所述重新布线层的表面相平齐。

2.根据权利要求1所述的指纹识别芯片的封装结构，其特征在于：所述导电结构为金属连接球或金属柱。

3.根据权利要求1所述的指纹识别芯片的封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：

电介质层，所述电介质层与所述塑封材料层相接触的表面为所述重新布线层的第一表面；

金属线层，位于所述电介质层内，且所述金属线层的外表面与所述重新布线层的第一表面相平齐；所述金属焊盘及所述导电结构均与所述金属线层接触连接。

4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器扇出型封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：

电介质层，所述电介质层与所述塑封材料层相接触的表面为所述重新布线层的第一表面；

金属叠层结构，位于所述电介质层内；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接；邻近所述塑封材料层的所述金属线层的外表面与所述重新布线层的第一表面相平齐；所述金属焊盘与邻近所述塑封材料层的所述金属线层接触连接。

5.根据权利要求4或5所述的指纹识别芯片的封装方法，其特征在于：所述电介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的任一种，所述金属线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的任一种。

6.根据权利要求1所述的指纹识别芯片的封装结构，其特征在于：若干个所述金属焊盘均位于所述功能区域的一侧，且于所述功能区域的一侧呈一字型排布。

7.根据权利要求1所述的指纹识别芯片的封装结构，其特征在于：所述塑封材料层包括聚酰亚胺层、硅胶层、环氧树脂层、可固化的聚合物基材料层或可固化的树脂基材料层中的任一种。

8.一种指纹识别芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括步骤：

1)提供一衬底；

2)于所述衬底的上表面形成导电结构；

3)提供一指纹识别芯片，所述指纹识别芯片包括功能区域及位于所述功能区域外侧的若干个金属焊盘，所述功能区域内设置有功能器件，所述金属焊盘位于所述指纹识别芯片的正面，且与所述功能器件电连接；将所述指纹识别芯片正面朝下倒装键合于所述衬底的上表面；

4)于所述衬底的上表面形成塑封材料层，所述塑封材料层将所述导电结构及所述指纹识别芯片封裹塑封；

5)去除所述衬底；

6)于所述塑封材料层暴露出所述导电结构及所述指纹识别芯片的表面形成重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面，其中，所述重新布线层的第一表面与所所述塑封材料层暴露出所述导电结构及所述指纹识别芯片的表面相接触，且所述重新布线层与所述指纹识别芯片的金属焊盘接触连接。

9.根据权利要求8所述的指纹识别芯片的封装方法，其特征在于：步骤1)与步骤2)之间还包括于所述衬底的上表面形成剥离层的步骤；此时，步骤2)中，所述导电结构形成于所述剥离层的上表面，步骤3)中，所述指纹识别芯片正面朝下倒装键合于所述剥离层的上表面，步骤4)中，所述塑封材料层形成于所述剥离层的上表面。

10.根据权利要求9所述的指纹识别芯片的封装方法，其特征在于：所述剥离层包括胶带及聚合物层中的一种，所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑衬底表面，然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。