[发明专利]一种Cu-Te纳米晶/Cu2 有效
申请号: | 201710796075.9 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN107445621B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 赵德刚;吴迪;薄琳;王琳 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C04B35/547 | 分类号: | C04B35/547;C04B35/622 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 250022 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cu te 纳米 base sub | ||
本发明属于热电材料技术领域,具体涉及一种Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法,该复合材料中Cu‑Te纳米晶在复合材料中的体积比为0.2‑1.2%。本发明制备的Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3型热电复合材料表现出较好的热电性能,大幅提升了Cu2SnSe3基体的ZT值;制备所需工艺操作简单、参数可控、适用于较大规模生产。
技术领域
本发明属于热电材料技术领域,具体涉及一种Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法。
背景技术
热电材料是一种可以实现热能与电能直接转化的能源性功能化材料,具有广阔的发展远景,尤其是在目前能源资源短缺的现状下,热电材料的应运而生无疑是时代的选择。其涉及的应用领域可以是航空航天的应用发电,亦可以是体温发电的手表。从现实意义考虑,热电材料可以应用到工业余热的循环利用中,此外还可以从热电制冷的角度考虑制备环保型冰箱、空调等制冷设备。其内在的环保、高精度、无噪声等优点使其具有巨大的发展潜力。
热电优值ZT是影响热电材料的转换效率的一个根本性参数,其公式表达为ZT=σS2T/κ,其中S、σ、κ、T分别为赛贝克系数、电导率、热导率和绝对温度。就目前应用领域来说,主要有碲化铋型合金以及填充型方钴矿化合物等材料被广泛应用。然而随着进一步的探索,各种不同类型的热电材料被发现和改造,虽然传统的热电材料具有良好的热电性能,但其昂贵的制备成本问题已成为发展新型热电材料的动力。
Cu2SnSe3是一种具有类金刚石结构的化合物,其内部存在的Cu-Se键有利于电子的运输,而本身的存在大量扭曲的复杂晶格结构可以有效的散射声子,从而降低材料的热导率,提高其ZT值。因此Cu2SnSe3化合物在热电性能的提高方面存在极大的发展潜力。文献(Acta Materialia, 2013, 61: 4297-4304; J. Alloys. Compd, 2010, 506: 18-21; J.Elect. Mater, 2012, 41: 1554-1557)等均是集中在掺杂来提高其热电性能,也取得了良好的进展,但掺杂本身可调控的难度相对较大,且掺杂浓度相对非常有限,而采用纳米晶复合的方式可以很好的解决以上问题。
二元铜基化合物Cu2X(X= S, Se or Te)是一种晶体结构复杂的化合物。然而,关于Cu-Te二元体系还没有被广泛开发,在作为第二相复合方面还未有涉及。本专利利用熔体旋甩制备出Cu-Te纳米晶,并以Cu-Te纳米晶作为第二相制备Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3型热电复合材料,大大提高了基体Cu2SnSe3的热电优值,制备方法新颖,具有很好的应用前景。
发明内容
本发明目的在于提供一种Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料,能够显著改善基体Cu2SnSe3热电性能。
本发明还提供了一种Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料的制备方法,该方法工艺简单易控,价格相对低廉,对基体Cu2SnSe3热电性能的改善尤为明显。
本发明是通过以下技术方案来实现的:
本发明提供了一种Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3型热电复合材料,所述Cu-Te纳米晶在复合材料中的体积比为0.2-1.2%。
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