[发明专利]一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）硅片去损伤&制绒：选择P型硅片作为硅基体，在酸液下进行硅片去损伤及表面绒面制备；

（2）磷扩散：对硅片的制绒面进行磷扩散形成N型层，扩散自然形成的磷硅玻璃作为绒面的掩膜以便实现背面去除发射结以及背抛光的目的；

（3）磷硅玻璃去除及背面抛光：去除背面磷硅玻璃后，进行背抛光并清洗；

（4）氧化铝钝化膜制备：在硅片的正/背面通过丝网印刷形成氧化铝钝化膜，烘干并退火, 氧化铝钝化膜厚度30-100nm；

（5）氮化硅沉积：在硅片的正/背面沉积氮化硅减反射薄膜，镀膜厚度75-85nm，折射率2.08-2.14；

（6）印刷背电极：背面印刷背电极，烘干，烘干温度100℃-300℃，烘干时间20-60S；

（7）背电场印刷：背面印刷可烧穿氮化硅的铝浆，烘干，烘干温度100℃-300℃，烘干时间20-60S；

（8）正面印刷：正面印刷银浆，烘干，烘干温度100℃-300℃，烘干时间20-60S；

（9）烧结、测试：烧结温度700℃-800℃，烧结时间20-60S，烧结过程中铝浆烧穿背面氮化硅薄膜，通过镂空处与硅基底形成良好的欧姆接触及局部铝背场。

2.如权利要求1所述的双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述步骤（4）中的丝网印刷制备氧化铝钝化膜是将印刷钝化膜图形设计为点阵或者局部镂空设计直接将需要与浆料进行电学接触的硅基底区域空出。