[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。

相关申请的交叉引用

本公开要求2016年9月5日在韩国知识产权局提交的题为“半导体器件及其制造方法(Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same)”的韩国专利申请No.10-2016-0114022的优先权，其全部公开通过引用合并于此。

技术领域

实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件具有诸如小尺寸、多功能和/或低制造成本等特性，使得半导体器件可以在许多电子工业中使用。半导体器件可以包括存储数据的存储器件、计算和处理数据的逻辑器件、能够同时执行各种功能的混合器件等。

在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理解，因此可以包含不形成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。

发明内容

实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在所述籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。

实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽中的第一籽晶层和在所述第二沟槽中的第二籽晶层，所述第一籽晶层和所述第二籽晶层在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上；在所述第一籽晶层上并填充在所述第一沟槽中的第一体层；在第二籽晶层上并且填充在第二沟槽中的第二体层，其中，第一籽晶层包括包含等离子体材料的第一生长控制区域，第二籽晶层包括包含等离子体材料的第二生长控制区域，包含在第一生长控制区域中的等离子体材料的平均浓度小于包含在第二生长控制区域中的等离子体材料的平均浓度，或者第一生长控制区域的平均厚度小于第二生长控制区域的平均厚度。

实施例可以通过提供一种制造半导体器件的方法来实现，该方法包括：在衬底上形成具有第一沟槽和第二沟槽的绝缘层，使得第二沟槽的深宽比小于第一个沟槽的深宽比；形成阻挡层以覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成籽晶层以覆盖所述阻挡层；对所述籽晶层进行等离子体处理；在所述第一沟槽中形成第一体层；以及在所述第二沟槽中形成第二体层，其中形成第二体层的的工艺温度高于形成第一体层的工艺温度。

实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽中的第一籽晶层和在所述第二沟槽中的第二籽晶层，所述第一籽晶层和所述第二籽晶层在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上；在所述第一籽晶层上并填充在所述第一沟槽中的第一体层；以及在所述第二籽晶层上并填充在所述第二沟槽中的第二体层，其中所述第二体层的平均晶粒大小大于所述第一体层的平均晶粒大小。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，在附图中：

图1示出了根据示例性实施例的半导体器件的沟槽填充结构的截面图。