[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；

在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；

在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；以及

在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，

其中，

所述第二体层的平均晶粒大小大于所述第一体层的平均晶粒大小，

所述第二沟槽中的籽晶层包括包含等离子体材料的生长控制区域，并且所述第一沟槽中的籽晶层不具有等离子体材料，并且

所述生长控制区域中包含的等离子体材料的浓度在从所述第二体层到所述第二沟槽中的所述阻挡层的方向上减小，使得所述第一体层先于所述第二体层从在所述第一沟槽的下部中的籽晶层的表面长出。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

绝缘层中还包括有第三沟槽，第三体层在第三沟槽中，第四体层在第三体层上并填充在第三沟槽中，以及

第三沟槽的深宽比小于第一沟槽的深宽比，并且大于第二沟槽的深宽比。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第三体层的平均晶粒大小等于或小于所述第一体层的平均晶粒大小。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第四体层的平均晶粒大小等于或小于所述第二体层的平均晶粒大小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述生长控制区域与所述第二体层相邻。

6.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；

在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；

在所述第一沟槽中的第一籽晶层和在所述第二沟槽中的第二籽晶层，所述第一籽晶层和所述第二籽晶层在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上；

在所述第一籽晶层上并填充在所述第一沟槽中的第一体层；以及

在所述第二籽晶层上并填充在所述第二沟槽中的第二体层，

其中，

所述第一籽晶层包括包含等离子体材料的第一生长控制区域，所述第二籽晶层包括包含等离子体材料的第二生长控制区域，以及

所述第一生长控制区域中包含的等离子体材料的平均浓度小于所述第二生长控制区域中包含的等离子体材料的平均浓度，或者所述第一生长控制区域的平均厚度小于所述第二生长控制区域的平均厚度，使得所述第一体层先于所述第二体层从在所述第一沟槽的下部中的籽晶层的表面长出。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述第一生长控制区域与所述第一体层相邻，以及

所述第二生长控制区域与所述第二体层相邻。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述第一生长控制区域中包含的等离子体材料的浓度在从所述第一体层到所述第一沟槽中的所述阻挡层的方向上减小，以及

所述第二生长控制区域中包含的等离子体材料的浓度在从所述第二体层到所述第二沟槽中的所述阻挡层的方向上减小。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述绝缘层中还包括有第三沟槽，第三体层在所述第三沟槽中，第四体层在所述第三体层上并填充在所述第三沟槽中，

所述第三沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比，以及

所述第三沟槽的深宽比大于所述第二沟槽的深宽比。