[发明专利]标靶燃料产生器及供应标靶燃料的方法有效
申请号: | 201710794556.6 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN109461671B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 钟仁阳;谢劼;简上杰;陈立锐;郑博中 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 燃料 产生器 供应 方法 | ||
本发明部分实施例提供一种标靶燃料产生器及供应标靶燃料的方法。标靶燃料产生器包括一储存组件和喷嘴组件。储存组件具有一流道。标靶燃料产生器还包括一喷嘴组件。喷嘴组件以可旋转于一第一旋转角度与一第二旋转角度的方式连结储存组件。并且,喷嘴组件包括一第一喷嘴头以及一第二喷嘴头。在第一旋转位置上,第一喷嘴头连结流道且第二喷嘴头与流道分离,并且在第二旋转位置上,第二喷嘴头连通流道且第一喷嘴头与流道分离。
技术领域
本发明实施例涉及一种半导体晶圆生产设备中用于供应标靶燃料以产生放射光束的标靶燃料产生器及供应标靶燃料的方法。
背景技术
半导体集成电路工业已历经蓬勃发展的阶段。集成电路燃料及设计在技术上的进步使得每一代生产的集成电路变得比先前生产的集成电路更小且其电路也变得更复杂。在集成电路发展的进程中,功能性密度(例如:每一个晶片区域中内连接装置的数目)已经普遍增加,而几何尺寸(例如:制造过程中所能创造出最小的元件(或线路))则是普遍下降。这种微缩化的过程通常可通过增加生产效率及降低相关支出提供许多利益。
然而,此种微缩化也增加了集成电路加工和制造上的复杂度。为了实现这样的进展,集成电路加工和制造上也需要有相同的进步。
光微影技术是一种利用光照射具有图案的主光罩来将图案转印到覆盖在半导体基板上感光燃料上的工艺。在半导体工业的历史上,已通过减小光学微影辐射源的曝光波长改良光微影解析度来实现更小的集成晶片的最小特征尺寸。在较高解析度的光微影技术中,极紫外线(Extreme ultraviolet;EUV)微影术使用具有10nm与130nm之间的曝光波长的极紫外线(EUV)光,是对于新兴技术节点(例如,32nm、22nm、14nm等)具有前景的下一代光微影解决方案。
虽然现有的光微影技术通常已经足以实现预期目的,但仍不能在所有方面完全满足。
发明内容
本发明实施例的主要目的在于提供一种标靶燃料产生器,以通过改变供给标靶燃料的喷嘴头,使标靶燃料依照既定参数继续供应。
本发明实施例的另一目的在于提供一种供应一标靶燃料的方法,以通过改变供给标靶燃料的喷嘴头,使标靶燃料依照既定参数继续供应。
本发明部分实施例提供一种标靶燃料产生器。标靶燃料产生器包括一储存组件。储存组件具有一流道。标靶燃料产生器还包括一喷嘴组件。喷嘴组件以可旋转于一第一旋转位置与一第二旋转位置的方式连结储存组件。并且,喷嘴组件包括一第一喷嘴头以及一第二喷嘴头。在第一旋转位置上,第一喷嘴头连结流道且第二喷嘴头与流道分离,并且在第二旋转位置上,第二喷嘴头连通流道且第一喷嘴头与流道分离。
本发明部分实施例提供一种供应一标靶燃料的方法。上述方法包括连结设置于一转盘的一第一喷嘴头至一储存组件的一流道。上述方法还包括通过储存组件的流道以及第一喷嘴头供应一标靶燃料进入一激发区。上述方法也包括监测来自第一喷嘴头的标靶燃料在激发区中的特性,并根据监测结果产生一检测信号。另外,上述方法包括当检测信号超过一门槛值时,停止供应来自第一喷嘴头的标靶燃料。上述方法还包括旋转转盘,以连结设置于转盘的一第二喷嘴头至储存组件的流道。上述方法还包括通过储存组件的流道以及第二喷嘴头供应标靶燃料进入激发区。
本发明实施例提供的标靶燃料产生器和供应一标靶燃料的方法的优点和有益效果在于:
本发明实施例提供的标靶燃料产生器可在标靶燃料的供应发生异常时,通过改变供给标靶燃料的喷嘴头,使标靶燃料依照既定参数继续供应。由于标靶燃料产生器可以稳定供应标靶燃料,每一标靶燃料皆可受激光光束激发而发出预设能量对半导体基板表面上方的光阻进行曝光。于是,半导体基板的产品良率可以获得提升。另一方面,由于使用标靶燃料产生器的曝光系统不需时常停机进行保养或维修,曝光系统在单位时间下可产出的产品数量也可获得增加。
附图说明
图1为根据本发明部分实施例的曝光系统的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造