[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含第一堆叠中介层、第一晶片、以及多个第二凸块。第一堆叠中介层包含第一中介层、多个第一导电柱、多个第一凸块、以及第一重分布层。第一中介层具有第一表面和与其相对的第二表面。多个第一导电柱从第一中介层的第一表面穿透至第二表面。多个第一凸块位于第一中介层的第一表面的一侧并电性连接这些第一导电柱。第一表面具有净空区域，此净空区域无第一凸块。第一重分布层位于第一中介层的第二表面上。第一晶片位于第一重分布层的上方。第一晶片在垂直第一表面的方向上与第一中介层的第一表面的净空区域对齐。多个第二凸块连接第一重分布层和第一晶片。中介层可以用作通用元件，以节省成本。

技术领域

本发明是有关一种半导体结构及一种半导体结构的制造方法。

背景技术

为了改善集成电路(Integrated circuit)的表现以及功能，在下一世代中，三维堆叠技术(Three-dimensional stacking technology)被普遍的运用。硅穿孔(Through-silicon via)普遍地被用于制造三维堆叠(3D stacking)。然而，在传统的3D堆叠技术中，为了要在晶片上形成硅穿孔反而减少晶片的功能区域和/或有效面积，且相邻晶片之间的热量无法有效地消散。此外，在晶片的电路区中形成硅穿孔也为业界所面临到的挑战。因此，传统的3D堆叠技术在各方面皆无法满足。

发明内容

本发明的目的在于提供一种中介层可以用作通用元件以节省成本的半导体结构及其形成方法。

根据本发明的一方面是提供一种半导体结构。半导体结构包含第一堆叠中介层、第一晶片及多个第二凸块。第一堆叠中介层包含第一中介层、多个第一导电柱、多个第一凸块、以及第一重分布层。第一中介层具有第一表面及与其相对的第二表面。第一导电柱从第一中介层的第一表面穿透至第二表面。第一凸块位于第一中介层的第一表面的一侧，并电性连接至这些第一导电柱。第一表面具有净空区域，此净空区域无第一凸块。第一重分布层位于第一中介层的第二表面上。第一晶片位于第一重分布层的上方，其中第一晶片在垂直第一表面的方向上与第一中介层的第一表面的净空区域对齐。多个第二凸块连接第一重分布层和第一晶片。

根据本发明的某些实施方式，半导体结构还包含载体基板、第二晶片及多个第三凸块。第一堆叠中介层的多个第一凸块设置于载体基板上。第二晶片设置于载体基板上，使得第二晶片位于载体基板与第一中介层之间。第二晶片与第一中介层的第一表面的净空区域对齐，并存在空隙在净空区域与第二晶片之间。多个第三凸块连接第二晶片和载体基板。

根据本发明的某些实施方式，半导体结构还包含第二堆叠中介层及第三晶片。第二堆叠中介层位于第一堆叠中介层的上方。第二堆叠中介层包含第二中介层、多个第二导电柱、多个第四凸块及第二重分布层。第二中介层具有第一表面及与其相对的第二表面。第二导电柱穿透第二中介层。第四凸块位于第二中介层的第一表面的一侧，并连接第一重分布层和第二导电柱。第二重分布层设置于第二中介层的第二表面上。第三晶片位于第二重分布层的上方。第三晶片在垂直第一表面的方向上与第一中介层的第一表面的净空区域对齐。

根据本发明的某些实施方式，第一导电柱及第二导电柱具有相同分布，使得各第一导电柱在垂直第一中介层的第一表面的方向上与各第二导电柱对齐。

根据本发明的某些实施方式，第一堆叠中介层还包含导电垫。导电垫在第一表面上延伸，并桥接两个相邻的第一导电柱。这些第一凸块中的一个通过导电垫等电势连接至所述两个相邻的第一导电柱。