[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

第一堆叠中介层，包含：

第一中介层，具有第一表面及与其相对的第二表面；

多个第一导电柱，从所述第一中介层的所述第一表面穿透至所述第二表面；

多个第一凸块，位于所述第一中介层的所述第一表面的一侧，并电性连接所述多个第一导电柱，其中所述第一表面具有净空区域，所述净空区域无所述多个第一凸块；以及

第一重分布层，位于所述第一中介层的所述第二表面上；

第一晶片，位于所述第一重分布层的上方，其中所述第一晶片在垂直所述第一表面的方向上与所述第一中介层的所述第一表面的所述净空区域对齐；以及

多个第二凸块，连接所述第一重分布层和所述第一晶片。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

载体基板，其上设有所述第一堆叠中介层的所述多个第一凸块；

第二晶片，位于所述载体基板上，使得所述第二晶片位于所述载体基板与所述第一中介层之间，其中所述第二晶片与所述第一中介层的所述第一表面的所述净空区域对齐，并存在空隙在所述净空区域与所述第二晶片之间；以及

多个第三凸块，连接所述第二晶片和所述载体基板。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

第二堆叠中介层，位于所述第一堆叠中介层的上方，且包含：

第二中介层，具有第一表面及与其相对的第二表面；

多个第二导电柱，穿透所述第二中介层；

多个第四凸块，位于所述第二中介层的所述第一表面的一侧，并连接所述第一重分布层和所述多个第二导电柱；以及

第二重分布层位于所述第二中介层的所述第二表面上；以及

第三晶片，位于所述第二重分布层的上方，其中所述第三晶片在垂直所述第一表面的方向上与所述第一中介层的所述第一表面的所述净空区域对齐。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一导电柱及所述多个第二导电柱具有相同分布，使得各所述第一导电柱在垂直所述第一中介层的所述第一表面的方向上与各所述第二导电柱对齐。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一堆叠中介层还包含导电垫，所述导电垫在所述第一表面上延伸，并桥接两个相邻的所述第一导电柱，其中所述多个第一凸块中的一个通过所述导电垫等电势电性连接至所述两个相邻的所述第一导电柱。

6.一种半导体结构，其特征在于，包含：

第一堆叠中介层，包含：

第一中介层，具有第一表面及与其相对的第二表面；

多个第一导电柱，从所述第一中介层的所述第一表面穿透至所述第二表面；

多个第一凸块，位于所述第一中介层的所述第一表面的一侧，并电性连接所述多个第一导电柱，其中所述第一表面具有净空区域，所述净空区域无所述多个第一凸块；以及

第一重分布层，位于所述第一中介层的所述第二表面上；

第一晶片，具有第一表面及与其相对的第二表面，所述第一晶片的所述第二表面固定于所述第一中介层的所述第一表面的所述净空区域；以及

多个第二凸块位于所述第一晶片的所述第一表面上。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，各所述第一凸块具有第一接合终端及各所述第二凸块各具有第二接合终端，且所述多个第一凸块的所述多个第一接合终端实质上与所述多个第二凸块的所述多个第二接合终端同高。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，各所述第一凸块具有第一高度、各所述第二凸块各具有第二高度且所述第一晶片具有厚度，其中所述多个第一凸块的所述第一高度实质上与所述第一晶片的所述厚度和所述第二凸块的所述第二高度的总和相等。

9.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包含载体基板，其中所述第一堆叠中介层的所述多个第一凸块和所述多个第二凸块接合至所述载体基板。