[发明专利]一种MOS管过流保护电路

说明书

本申请公开了一种MOS管过流保护电路，利用MOS管发生过流时其导通电压Vsubgt;DS/subgt;将产生压降这一特性，判断MOS管是否发生过流，其具体判断过程为，在接通MOS管后，若MOS管的导通电压Vsubgt;DS/subgt;稳定，则判定MOS管正常运行中；若MOS管的导通电压Vsubgt;DS/subgt;升高，则判定MOS管发生过流故障。与传统的MOS管过流保护电路相比，本申请的MOS管过流保护电路利用MOS管发生过流时其导通电压Vsubgt;DS/subgt;将产生压降这一特性，避免了高成本、高功耗电流采样器等装置的使用，大幅降低了保护电路的功耗与成本。

技术领域

本申请涉及MOS管保护领域，尤其涉及一种MOS管过流保护电路。

背景技术

近年来，半导体器件发展迅猛，MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)管因开关频率高、无机械损耗等特点逐渐取代继电器，继而成为电力设备中主要的电流控制元件，例如在开关放大器中，MOS管是控制其电流的关键器件。但是，MOS管缺乏电路过载能力，即当其所在电路发生短路或过流故障，MOS管极易被击穿。目前，解决该问题的方法通常为给MOS管增加过流保护电路。

现有技术中，MOS管过流保护电路的工作原理为：通过电流采样器(例如电流传感器或分流器)采集电路上的电流信号，并将其反馈给控制器；控制器根据接收的电流信号，判断该电流是否超过预设的电流阀值，若超过，则切断MOS管，从而实现对MOS管的保护；否则，由电流采样器一直监控并采集电路上的电流信号，直至该电流超过预设的电流阀值或MOS管停止工作。

但是，现有MOS管过流保护电路中使用的电流传感器或分流器一般具有较高的价格，且随着其功率的升高，其价格还将呈阶梯式上升，这就造成现有MOS管过流保护电路的成本较高，从而影响了该保护电路的广泛使用。另外，在检测电流过程中，电流传感器或分流器需要MOS管驱动电路(驱动MOS管工作的电源)以外的电源为其供电，这造成了现有MOS管过流保护电路在使用过程中功耗高的问题。

发明内容

本申请提供了一种MOS管过流保护电路，以解决现有技术中的MOS管过流保护电路功耗高、成本高的问题。

本申请提供了一种MOS管过流保护电路，用于与MOS管连接，所述MOS管过流保护电路包括第一电容、充电电路、放电电路与MOS管断开电路；

所述第一电容串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间；

所述充电电路与放电电路并联后串联在所述第一电容与MOS管驱动电路之间，所述充电电路用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号，并对所述第一电容充电，使所述第一电容的充电电压随MOS管的导通电压V_DS同步升降；

所述放电电路用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号，并对所述第一电容完全放电；

所述MOS管断开电路串联在所述第一电容与MOS管的G极之间，用于在所述第一电容的充电电压超过预设稳压值时，将MOS管的G极电压降低，从而使MOS管断开。

优选地，所述充电电路包括第一三极管与第二三极管，所述第一三极管的c极通过第七电阻连接至第二三极管的b极,

所述第一三极管的b极连接第二电阻的一端，所述第一三极管1的e极接地；

所述第二电阻的另一端用于连接MOS管驱动电路；

所述第二三极管的e极用于连接直流电源，其c极通过第一电阻连接至所述第一电容的一端。

优选地，所述MOS管断开电路包括第四三极管，所述第四三极管的c极连接第六二极管的负极，所述第六二极管的正极用于连接MOS管的G极，