[发明专利]一种MOS管过流保护电路

权利要求书

1.一种MOS管过流保护电路，用于与MOS管连接，其特征在于，所述MOS管过流保护电路包括第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)、MOS管断开电路(L3)与过流上报电路(L5)；

所述第一电容(C1)串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间；

所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串联在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间，所述充电电路(L1)用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号，并对所述第一电容(C1)充电，使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压V_DS同步升降；

所述放电电路(L2)用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号，并对所述第一电容(C1)完全放电；

所述MOS管断开电路(L3)串联在所述第一电容(C1)与MOS管的G极之间，用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设稳压值时，将MOS管的G极电压降低，从而使MOS管断开；

所述MOS管断开电路(L3)包括第四三极管(Q4)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第六二极管(D6)；所述第四三极管(Q4)的c极连接所述第六二极管(D6)的负极，所述第六二极管(D6)的正极用于连接MOS管的G极，所述第四三极管(Q4)的b极依次连接第二二极管(D2)的正极与第一二极管(D1)的负极，所述第一二极管(D1)的正极连接至所述第一电容(C1)的一端；所述第二二极管(D2)为稳压二极管；

所述过流上报电路(L5)用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设的稳压值时，发送过流故障信号；所述过流上报电路(L5)包括第四二极管(D4)，所述第四二极管(D4)的负极连接所述MOS管断开电路(L3)中第三三极管(Q4)的c极；所述第四二极管(D4)的正极连接第六电阻(R6)的一端，所述第六电阻(R6)的另一端连接直流电压；所述第四二极管(D4)的正极还连接至控制器，所述控制器用于控制MOS管的通断。

2.根据权利要求1所述的MOS管过流保护电路，其特征在于，所述充电电路(L1)包括第一三极管(Q1)与第二三极管(Q2)，所述第一三极管(Q1)的c极通过第七电阻(R7)连接至第二三极管(Q2)的b极,

所述第一三极管(Q1)的b极连接第二电阻(R2)的一端，所述第一三极管(Q1)的e极接地；

所述第二电阻(R2)的另一端用于连接MOS管驱动电路；

所述第二三极管(Q2)的e极用于连接直流电源，其c极通过第一电阻(R1)连接至所述第一电容(C1)的一端。

3.根据权利要求1所述的MOS管过流保护电路，其特征在于，所述MOS管断开电路(L3)还包括第四电阻(R4)与第二电容(C2)，所述第四电阻(R4)与所述第二电容(C2)并联后连接所述第四三极管(Q4)的b极与e极的两端，所述第四三极管(Q4)的e极接地。

4.根据权利要求1所述的MOS管过流保护电路，其特征在于，所述放电电路(L2)包括第三三极管(Q3)，所述第三三极管(Q3)的b极连接第三电组(R3)的一端，其e极连接至所述第一电容(C1)的一端，其c极接地；

所述第三电组(R3)的另一端用于连接所述MOS管驱动电路。

5.根据权利要求1所述的MOS管过流保护电路，其特征在于，所述第一电容(C1)与MOS管e极的连接线路上设置钳位电路(L4)，所述钳位电路(L4)用于在第一电容(C1)的充电电压未超过预设的稳压值时，将所述第一电容(C1)的充电电压钳制在预设的钳电压上。

6.根据权利要求5所述的MOS管过流保护电路，其特征在于，所述钳位电路(L4)包括第五二极管(D5)与第三二极管(D3)，所述第五二极管(D5)的负极通过第五电阻(R5)连接至所述第一电容(C1)的一端；

所述第五二极管(D5)的正极连接所述第三二极管(D3)的正极，其中，第五二极管(D5)为稳压二极管；

所述第三二极管(D3)的负极连接至MOS管的D极。