[发明专利]基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法

权利要求书

1.一种基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法，其特征在于包括下述步骤：

(1)根据所用磁悬浮装置的磁体类型确定顺磁介质溶液，若所用磁体类型为超导磁体，选用的顺磁介质为NiCl₂溶液，若所用磁体类型为永磁体，选用的顺磁介质为MnCl₂溶液；

(2)混合顺磁介质溶液和样品分子，得到过饱和结晶溶液体系；

(3)将结晶溶液体系置于磁悬浮装置中进行晶体生长；

(4)观察晶体的生长状况，若得到无界面接触悬浮生长的单晶体，则终止实验；若所得晶体在液面上则降低顺磁介质浓度，若所得晶体在溶液底部，则增加顺磁介质浓度，返回步骤(2)；若没有晶体长出则增加结晶溶液各组分浓度，若晶体为多晶，则降低结晶溶液各组分浓度，返回步骤(2)。

2.根据权利要求1所述的基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法，其特征在于：所述的磁体能够在某一固定方向提供恒定的磁场强度和梯度。

3.根据权利要求1所述的基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法，其特征在于：所述的永磁体在晶体悬浮位置的磁化水平B*dB/dz值不小于-15T²/m。

4.根据权利要求1所述的基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法，其特征在于：所述的样品分子包括生物大分子蛋白质、无机分子NaCl和有机分子谷氨酸钠，所述的生物大分子蛋白质包括溶菌酶和蛋白酶K。

5.根据权利要求1所述的基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法，其特征在于：所述的样品分子纯度不低于99.8％。

6.根据权利要求1所述的基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法，其特征在于：所述的步骤(2)后使用0.22um的滤膜过滤结晶溶液。

7.根据权利要求1所述的基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法，其特征在于：所述的步骤(2)和(3)温度控制在20～21℃，精度误差为±0.01℃。