[发明专利]湿法刻蚀化学品反应槽

说明书

本申请实施例公开了一种湿法刻蚀化学品反应槽，其包括：用于盛放化学品反应液以及用于容纳待刻蚀晶片的第一槽、用于盛放化学品反应液且能够从第一槽顶部向第一槽注入化学品反应液的第二槽，以及用于将化学品反应液从第一槽底部抽至第二槽的抽泵。在该反应槽内，化学品反应液在第一槽内的流向是从上向下。因此，在第一槽内，化学品反应液按照由上到下的流向对待刻蚀晶片进行冲洗，如此，待刻蚀晶片刻蚀过程中产生的副产物很容易随反应液从第一槽底部流出，其不易粘附在待刻蚀晶片表面，因而该湿法刻蚀化学品反应槽能够减少刻蚀副产物给待刻蚀晶片表面带来的接触点线缺陷，有利于提高晶片良率。

技术领域

本申请涉及半导体刻蚀技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀化学品反应槽。

背景技术

半导体制造技术中经常会用到刻蚀工艺，其中湿法刻蚀工艺主要是采用化学品反应液对刻蚀物进行去除的刻蚀技术，具体为通过化学品反应液与刻蚀物进行化学反应，使刻蚀物部分脱离晶圆表面，这样在晶圆上得到了所需要的表面。

现有的湿法刻蚀化学品反应槽包括外槽和内槽，其中，在湿法刻蚀过程中，将装有待刻蚀晶片的晶片支撑装置(lifter guider)放置于装有化学品反应液的内槽内，进行湿法刻蚀，化学品反应液的循环流向为：从外槽流经抽泵、加热器、过滤器，然后从内槽底部进入内槽，接着反应液从内槽的底部向上冲洗，最后从内槽顶部溢出到外槽。

根据上述现有的化学品反应液的循环流向可知，现有的湿法刻蚀方法中，反应液从内槽底部向上冲洗待刻蚀晶片，这种冲洗待刻蚀晶片的方式存在如下缺陷：刻蚀副产物不容易从内槽内随反应液流走，其比较容易粘附在待刻蚀晶片表面。这些粘附在待刻蚀平面边框的刻蚀副产物很容易给待刻蚀晶片表面带来接触点线性缺陷。图1示出了在现有的湿法刻蚀化学品反应槽进行刻蚀后的晶片示意图。从图1中可以明显看出，刻蚀后的晶片表面存在很多缺陷。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种湿法刻蚀化学品反应槽，以减少湿法刻蚀过程中给待刻蚀晶片表面带来的缺陷。

为了解决上述技术问题，本申请采用了如下技术方案：

一种湿法刻蚀化学品反应槽，包括：

用于盛放化学品反应液以及用于容纳待刻蚀晶片的第一槽、用于盛放化学品反应液且能够从第一槽顶部向第一槽注入化学品反应液的第二槽，以及用于将化学品反应液从第一槽底部抽至第二槽的抽泵。

可选地，所述第二槽套在所述第一槽外围。

可选地，所述湿法刻蚀化学品反应槽还包括：

设置于所述第一槽内的用于监测第一槽内化学品反应液的液位传感器。

可选地，所述液位传感器设置在靠近第一槽槽壁的位置。

可选地，所述第二槽的侧壁高于所述第一槽的侧壁。

可选地，在所述第一槽的侧壁靠上位置设置有用于使化学品反应液从第二槽流向第一槽的连通通道。

可选地，所述湿法刻蚀化学品反应槽还包括：用于过滤化学品反应液的过滤器，所述过滤器设置在所述抽泵与所述第二槽之间的连接管道上。

可选地，所述湿法刻蚀化学品反应槽还包括：用于加热化学品反应液的加热器，所述加热器设置在所述抽泵与所述第二槽之间的连接管道上。

相较于现有技术，本申请具有以下有益效果：