[发明专利]湿法刻蚀化学品反应槽有效
申请号: | 201710775129.3 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107527844B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 吴良辉;吴关平;万先进;蒋阳波;张静平;汪亚军 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵秀芹;王宝筠 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 化学品 反应 | ||
1.一种湿法刻蚀化学品反应槽,其特征在于,包括:
用于盛放化学品反应液以及用于容纳待刻蚀晶片的第一槽、用于盛放化学品反应液且能够从第一槽顶部向第一槽注入化学品反应液的第二槽、用于将化学品反应液从第一槽底部抽至第二槽的抽泵,以及设置于所述第一槽内的用于监测第一槽内化学品反应液的液位传感器,以及用于加热化学品反应液的加热器,所述加热器设置在所述抽泵与所述第二槽之间的连接管道;
其中,所述第一槽内的化学品反应液包括四个液位,所述四个液位由低到高为:第一液位、第二液位、第三液位和第四液位;
在所述第一槽内的化学反应液的液位低于第一液位时,向所述第一槽内注入化学品反应液,在所述第一槽内的化学反应液的液位达到第二液位时,启动所述抽泵;在所述第一槽内的化学反应液的液位达到第三液位时,启动所述加热器,在所述第一槽内的化学反应液的液位达到第四液位时,停止向所述第一槽内注入化学品反应液。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀化学品反应槽,其特征在于,所述第二槽套在所述第一槽外围。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀化学品反应槽,其特征在于,所述液位传感器设置在靠近第一槽槽壁的位置。
4.根据权利要求1-3任一项所述的湿法刻蚀化学品反应槽,其特征在于,所述第二槽的侧壁高于所述第一槽的侧壁。
5.根据权利要求1-3任一项所述的湿法刻蚀化学品反应槽,其特征在于,在所述第一槽的侧壁靠上位置设置有用于使化学品反应液从第二槽流向第一槽的连通通道。
6.根据权利要求1-3任一项所述的湿法刻蚀化学品反应槽,其特征在于,所述湿法刻蚀化学品反应槽还包括:用于过滤化学品反应液的过滤器,所述过滤器设置在所述抽泵与所述第二槽之间的连接管道上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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