[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201710774031.6 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109427819B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 操彬彬;艾力;张辉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;王小会 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板包括:衬底基板,包括像素区,所述像素区包括反射区;反射区薄膜,在所述反射区内;颗粒层,在所述反射区薄膜上,所述颗粒层被配置为使所述反射区薄膜远离所述衬底基板的一侧具有颗粒状的粗糙表面;反射电极,在所述颗粒层上。该阵列基板用以提高反射区的漫反射效果。
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器的光源主要为背光,而背光源通过基底、彩色滤光片等使得背光的利用率被大大降低,甚至在光线较强的室外都无法看清屏幕上的显示。为了获得在室内和光线较强的室外都有较好的显示效果,业界开发出了半反半透式显示屏。
发明内容
本公开的至少一实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置,以提高反射区的漫反射效果。
本公开的至少一实施例提供一种阵列基板,包括:
衬底基板,包括像素区,所述像素区包括反射区;
反射区薄膜,在所述反射区内;
颗粒层,在所述反射区薄膜上,所述颗粒层被配置为使所述反射区薄膜远离所述衬底基板的一侧具有颗粒状的粗糙表面;
反射电极,在所述颗粒层上。
本公开的至少一实施例还提供一种阵列基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成反射区薄膜,所述衬底基板包括像素区,所述像素区包括反射区,所述反射区薄膜形成在所述反射区;
对所述反射区薄膜远离所述衬底基板的一面进行粗糙化处理,以形成颗粒层;
在所述颗粒层上形成反射电极。
本公开的至少一实施例还提供一种显示装置,包括本公开的至少一实施例提供的任一阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种半反半透阵列基板结构示意图;
图2为本公开一实施例提供的一种阵列基板中像素区、反射区和透射区的俯视示意图;
图3为本公开一示例提供的一种阵列基板的剖视示意图;
图4为本公开另一示例提供的一种阵列基板的剖视示意图;
图5为本公开另一示例提供的一种阵列基板的剖视示意图;
图6为本公开另一示例提供的一种阵列基板的剖视示意图;
图7为本公开一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图;
图8A-8E为本公开一示例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图;
图9A-9E为本公开另一示例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图;
图10A-10C为本公开另一示例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图;
图11A-11C为本公开另一示例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图;
图12为本公开一实施例提供的显示装置的示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的