[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：

衬底基板，包括像素区，所述像素区包括反射区；

反射区薄膜，在所述反射区内；

颗粒层，在所述反射区薄膜上，所述颗粒层被配置为使所述反射区薄膜远离所述衬底基板的一侧具有颗粒状的粗糙表面；

反射电极，在所述颗粒层上，

其中，所述像素区还包括透射区，所述透射区包括透射电极，所述反射区薄膜与所述透射电极位于同一层，

所述颗粒层的粒径范围为10-100nm，

阵列基板还包括：设置在所述反射区的树脂层，

所述树脂层的上表面为凹凸面，所述反射区薄膜均匀地设置在所述树脂层的上表面上，所述反射区薄膜的下表面与所述树脂层的上表面直接接触，所述反射区薄膜的上表面和下表面为凹凸面，且所述反射电极与所述颗粒层直接接触。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述颗粒层与所述反射区薄膜接触。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述反射区薄膜材质包括导电材料或半导体材料。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述反射区薄膜材质包括金属氧化物，所述颗粒层材质包括金属。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述金属氧化物包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟镓锌（IGZO）。

6.一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成反射区薄膜，所述衬底基板包括像素区，所述像素区包括反射区，所述反射区薄膜形成在所述反射区；

对所述反射区薄膜远离所述衬底基板的一面进行粗糙化处理，以形成颗粒层；

在所述颗粒层上形成反射电极，

其中，所述像素区还包括透射区，所述透射区包括透射电极，所述反射区薄膜与所述透射电极位于同一层，

所述颗粒层的粒径范围为10-100nm

所述制作方法还包括：在所述反射区形成树脂层，

其中，所述树脂层的上表面为凹凸面，所述反射区薄膜均匀地设置在所述树脂层的上表面上，所述反射区薄膜的下表面与所述树脂层的上表面直接接触，所述反射区薄膜的上表面和下表面为凹凸面，且所述反射电极与所述颗粒层直接接触。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其中，所述反射区薄膜材质包括导电材料或半导体材料。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其中，所述反射区薄膜材质包括金属氧化物，所述颗粒层材质包括金属。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其中，所述金属氧化物包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟镓锌（IGZO）。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其中，对所述反射区薄膜进行还原处理，使至少所述反射区薄膜表面的所述金属氧化物被还原成金属颗粒，所述颗粒层被配置为使所述反射区薄膜远离所述衬底基板的一侧具有颗粒状的粗糙表面。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其中，对所述反射区薄膜进行还原处理，使所述反射区薄膜的所述金属氧化物全部被还原成金属颗粒。

12.根据权利要求10或11所述的制作方法，其中，利用等离子体对所述反射区薄膜进行还原处理。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其中，所述等离子体为还原性等离子体，所述还原性等离子体包括氢等离子体和氨等离子体中的至少一种。

14.一种显示装置，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。