[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板。制备方法包括在衬底基板上依次形成非晶硅膜层和多晶硅膜层；通过一次构图工艺对所述非晶硅膜层和所述多晶硅膜层进行图案化处理，使所述非晶硅膜层形成遮光层图形，并使所述多晶硅层形成有源层图形。与现有技术相比，本发明提供的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法省去了一次构图工艺，简化了低温多晶硅TFT阵列基板的制备工艺，提高了低温多晶硅TFT阵列基板的生产效率并降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板。

背景技术

在目前的显示面板技术领域中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；LTPS)技术已受到广泛的重视和应用。低温多晶硅具有高迁移率的特性，因此在显示面板中采用低温多晶硅制成的TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)器件，可提高显示面板的分辨率、反应速度、亮度和开口率，同时，利用低温多晶硅技术可将显示面板的外围驱动电路集成于基板上，还可起到节省显示面板的空间和降低生产成本的作用。

然而，在低温多晶硅TFT阵列基板的制备过程中，目前的低温多晶硅TFT半导体层的制备工艺复杂，与传统的基于非晶硅显示技术的阵列基板相比，非晶硅TFT阵列基板需采用4-5道构图工艺，而低温多晶硅TFT阵列基板需要采用9-11道构图工艺，其生产工艺较为复杂，导致低温多晶硅TFT阵列基板的生产效率降低且生产成本增加。

发明内容

本发明提供了一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板，用于解决现有技术中的低温多晶硅TFT阵列基板的生产工艺复杂而导致的生产效率降低和生产成本增加的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：

一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上依次形成非晶硅膜层和多晶硅膜层；

通过一次构图工艺对所述非晶硅膜层和所述多晶硅膜层进行图案化处理，使所述非晶硅膜层形成遮光层图形，并使所述多晶硅层形成有源层图形。

本发明提供的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法中，采用非晶硅材料膜层作为遮光层，可通过同一次构图工艺同时形成遮光层的图形和有源层的图形，而现有技术中采用金属材料膜层作为遮光层，需通过一次构图工艺单独形成遮光层图形之后，再通过另一次构图工艺形成有源层的图形。因此，与现有技术相比，本发明提供的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法省去了一次构图工艺，简化了低温多晶硅TFT阵列基板的制备工艺，提高了低温多晶硅TFT阵列基板的生产效率并降低了生产成本。

可选地，在所述衬底基板上形成多晶硅膜层之前，还包括：

在所述非晶硅膜层上形成防护层。

进一步地，所述防护层的材料为氧化铝。

进一步地，所述在所述非晶硅膜层上形成防护层，具体包括：

在所述非晶硅层上形成铝膜层；

对所述铝膜层进行氧化处理，使所述铝膜层形成所述防护层。

进一步地，所述对所述铝膜层进行氧化处理，具体包括：

在氧气或者空气中对所述铝膜层进行退火处理。

进一步地，所述防护层的厚度为100-1000埃米。

进一步地，所述在衬底基板上形成晶硅膜层，具体包括：

在所述防护层上形成有源层缓冲层。

进一步地，所述有源层缓冲层由氧化硅材料制成，且所述有源层缓冲层的厚度为1000-3000埃米。