[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板有效
| 申请号： | 201710772525.0 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107342260B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 班圣光;曹占锋;姚琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 tft 阵列 制备 方法 | ||
1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成非晶硅膜层和多晶硅膜层；
通过一次构图工艺对所述非晶硅膜层和所述多晶硅膜层进行图案化处理，使所述非晶硅膜层形成遮光层图形，并使所述多晶硅膜层形成有源层图形；
所述遮光层的厚度为700-1200埃米；
在所述衬底基板上形成多晶硅膜层之前，所述方法还包括：
在所述非晶硅膜层上形成防护层；
所述防护层的厚度为100-1000埃米；
所述防护层的材料为氧化镁。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述非晶硅膜层上形成防护层之后，在衬底基板上形成多晶硅膜层之前，还包括：
在所述防护层上形成有源层缓冲层。
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层缓冲层由氧化硅材料制成，且所述有源层缓冲层的厚度为1000-3000埃米。
4.根据权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成所述非晶硅膜层之前，还包括：
在所述衬底基板上形成遮光层缓冲层，所述遮光层缓冲层由氮化硅材料或氧化硅材料中的至少一种制成。
5.一种低温多晶硅TFT阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和依次设置于所述衬底基板上的遮光层和有源层，其中，所述遮光层由非晶硅材料制成，所述遮光层与所述有源层通过同一次构图工艺同时形成；
所述低温多晶硅TFT阵列基板还包括设置于所述遮光层与所述有源层之间的防护层；
所述防护层的厚度为100-1000埃米；
所述防护层的材料为氧化镁；
所述遮光层的厚度为700-1200埃米。
6.根据权利要求5所述的低温多晶硅TFT阵列基板，其特征在于，还包括设置于所述有源层与所述防护层之间的有源层缓冲层。
7.根据权利要求6所述的低温多晶硅TFT阵列基板，其特征在于，所述有源层缓冲层由氧化硅材料制成。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求5所述的低温多晶硅TFT阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
