[发明专利]用于加工晶片的方法和用于加工载体的方法

说明书

根据多种实施例，一种用于加工晶片的方法包括：在晶片之上扫描聚焦激光束，以在晶片内形成缺陷结构，所述缺陷结构限定出：晶片的位于缺陷结构的第一侧的第一区域、晶片的位于缺陷结构的与第一侧相反的第二侧的第二区域以及侧向围绕所述缺陷结构且从晶片的第一表面延伸到晶片的与所述第一表面相反第二表面的边缘区域。所述第一区域的表面积大于所述边缘区域的表面积，所述第二区域通过所述边缘区域连接到所述第一区域。所述方法还可包括：沿着所述缺陷结构将所述第一区域和所述第二区域彼此分离，并使第一区域保持为一体。

技术领域

多种实施例总体上涉及一种用于加工晶片的方法和一种用于加工载体的方法。

背景技术

通常，在微电子学、微系统、生物医学和其它领域中可能存在各种薄芯片或超薄芯片的应用，所述薄芯片或超薄芯片例如在厚度在约几十微米范围内的载体上、例如在厚度小于约50μm的硅晶片上形成。用于制造这种薄或超薄晶片的一种方法可以是晶片磨削。通常用于基于晶片的机械处理薄化晶片的晶片磨削技术可将缺陷引入晶片中，并且可能难以控制，这可导致产量损失并因此导致高成本。然而，可能会尝试基于晶片预加工制造超薄芯片，其中，在CMOS加工之后，多个超薄芯片中的每个单芯片可以经由所谓的Pick,CrackPlace^TM工艺单独地从预加工后的晶片移除。

发明内容

根据多种实施例，一种用于加工晶片的方法可包括：在晶片之上扫描聚焦激光束，以在晶片内形成缺陷结构，所述缺陷结构限定出：晶片的位于缺陷结构的第一侧的第一区域、晶片的位于缺陷结构的与第一侧相反的第二侧的第二区域以及侧向围绕所述缺陷结构且从晶片的第一表面延伸到晶片的与所述第一表面相反第二表面的边缘区域。所述第一区域的表面积大于所述边缘区域的表面积，所述第二区域通过所述边缘区域连接到所述第一区域。所述方法还可包括：沿着所述缺陷结构将所述第一区域和所述第二区域彼此分离，并使第一区域保持为一体。

附图说明

在附图中，相同的附图标记通常在不同的视图中指代相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是通常重点用于说明本发明的原理。在下面的描述中，参见以下附图描述本发明的多种实施例，其中：

图1示出了根据多种实施例的用于加工晶片的方法的示意性流程图；

图2A至图2C以示意图分别示出了根据多种实施例的在各种加工阶段的晶片；

图3A至图3C以示意图分别示出了根据多种实施例的在各种加工阶段的晶片；

图4A和4B以示意图分别示出了根据多种实施例的在各种加工阶段的晶片；

图5示出了根据多种实施例的用于加工晶片的方法的示意性流程图；

图6示出了根据多种实施例的用于加工晶片的方法的示意性流程图；

图7A示出了根据多种实施例的用于加工晶片的方法的示意性流程图；

图7B至7G以各种示意图示出了根据多种实施例的经由聚焦激光束的晶片加工；和

图8A和8B以示意图分别示出了根据多种实施例的晶片和芯片。

具体实施方式

以下详细描述参考了附图，所述附图通过图示说明可以实施本发明的具体细节和实施例。

对这些实施例进行了详细描述而足以使本领域技术人员能够实施本发明。在不脱离本发明的范围的情况下，可以使用其它实施例，并且可以进行结构、逻辑和电改变。各个实施例不一定是相互排斥的，因为一些实施例可以与一个或多于一个的其它实施例组合以形成新的实施例。针对方法描述了多种实施例，并且针对装置描述了多种实施例。然而，可以理解，针对方法描述的实施例可以类似地应用于装置，反之亦然。