[发明专利]用于加工晶片的方法和用于加工载体的方法

权利要求书

1.一种用于加工晶片的方法，所述方法包括：

在晶片之上扫描聚焦激光束，以在晶片内形成缺陷结构，所述缺陷结构限定出：晶片的位于缺陷结构的第一侧的第一区域、晶片的位于缺陷结构的与第一侧相反的第二侧的第二区域以及侧向围绕所述缺陷结构且从晶片的第一表面延伸到晶片的与所述第一表面相反第二表面的边缘区域，其中，所述第一区域的表面积大于所述边缘区域的表面积，所述第二区域通过所述边缘区域连接到所述第一区域，然后

沿着所述缺陷结构将所述第一区域和所述第二区域彼此分离，并使第一区域保持为一体，

其中，聚焦激光束在距离所述第一表面具有第一距离并与所述第一表面平行的第一平面上以及在距离所述第一表面具有第二距离并与所述第一表面平行的第二平面上扫描，其中，所述第二距离大于所述第一距离；

其中，所述方法进一步包括：在将第一区域和第二区域彼此分离之前，形成从晶片的第二表面延伸到晶片中并到达缺陷结构的分离结构，所述分离结构侧向围绕第二区域；以及

其中，所述第一平面在第一区域中限定出芯片区域，所述第二平面限定出分别侧向围绕所述芯片区域的切口区域和芯片边缘区域。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，将所述第一区域和所述第二区域彼此分离进一步包括：从所述第一区域一体地分拆下所述第二区域。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，

其中，所述缺陷结构形成在大于晶片的第一表面的80％之下。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，

其中，在晶片之上扫描聚焦激光束进一步包括：控制聚焦激光束的聚焦位置并且控制所述晶片相对于所述聚焦位置的对准。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中，在晶片之上扫描聚焦激光束经由反馈回路控制，所述反馈回路被配置成检查产生的缺陷结构的图案是否与预定图案对准。

6.根据权利要求4所述的方法，

其中，在晶片之上扫描聚焦激光束经由红外测量装置控制。

7.根据权利要求1至2、5至6中任一项所述的方法，

其中，聚焦激光束在平行于晶片的第一表面的单个平面上扫描，以形成平面缺陷结构。

8.根据权利要求1至2、5至6中任一项所述的方法，

其中，所述第一区域的厚度小于50μm。

9.根据权利要求1至2、5至6中任一项所述的方法，

其中，在晶片之上扫描聚焦激光束包括：以定义一脉冲频率、一脉冲持续时间和一功率密度的脉冲模式操作激光器。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述晶片包括具有一功率密度损坏阈值的材料，选择脉冲能量，以使聚焦激光束具有大于所述功率密度损坏阈值的功率密度。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中，所述材料是硅，所述功率密度大于1×10¹⁰W/cm²。

12.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述脉冲持续时间小于1ns。

13.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述脉冲频率大于1kHz。

14.根据权利要求1至2、5至6、10至13中任一项所述的方法，

其中，所述分离结构包括另外的缺陷结构。

15.根据权利要求1至2、5至6、10至13中任一项所述的方法，

其中，将所述第一区域和所述第二区域彼此分离包括：使所述晶片经受机械应力，以破坏所述缺陷结构。

16.一种用于加工载体的方法，所述方法包括：

通过在载体内扫描激光束的聚焦区域在载体内形成缺陷结构，所述缺陷结构限定出：载体的位于缺陷结构的第一侧的第一区域、载体的位于缺陷结构的与第一侧相反的第二侧的第二区域以及侧向围绕所述缺陷结构且从所述载体的第一表面延伸到载体的与第一表面相反的第二表面的边缘区域，其中，所述缺陷结构形成在大于第一表面的80％之下，第二区域通过边缘区域连接到第一区域，然后，

通过破坏所述缺陷结构将所述第一区域和所述第二区域彼此分离，并至少使第一区域保持为一体，

其中，聚焦激光束在距离所述第一表面具有第一距离并与所述第一表面平行的第一平面上以及在距离所述第一表面具有第二距离并与所述第一表面平行的第二平面上扫描，其中，所述第二距离大于所述第一距离；

其中，所述方法进一步包括：在将第一区域和第二区域彼此分离之前，形成从晶片的第二表面延伸到晶片中并到达缺陷结构的分离结构，所述分离结构侧向围绕第二区域；以及

其中，所述第一平面在第一区域中限定出芯片区域，所述第二平面限定出分别侧向围绕所述芯片区域的切口区域和芯片边缘区域。