[发明专利]一种增粘单元HMDS吹扫结构有效
| 申请号: | 201710769525.5 | 申请日: | 2017-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN109427550B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 姜宗伟;尹宁 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 汪海 |
| 地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单元 hmds 结构 | ||
本发明涉及半导体匀胶显影技术领域,具体地说是一种增粘单元HMDS吹扫结构,其中上盘盖安装在支撑座上,上端盖安装在上盘盖中部,在所述支撑座的底板上设有凸台,所述热盘体固装于所述凸台上,晶圆置于所述热盘体上,上端盖、上盘盖、支撑座侧壁、凸台和热盘体围合成密封空间,在所述密封空间中设有整流板,且所述热盘体和整流板之间形成吹扫区域,所述整流板与上盘盖之间形成回风区域,吹扫区域中的气体由整流板边缘流入回风区域,所述上端盖内设有进气通道和走气槽,进气通道与吹扫区域相通,且所述进气通道的吹扫口为扩口结构,走气槽与回风区域相通,走气槽外槽壁上设有出气口。本发明提高了增粘单元HMDS吹扫均匀性,保证增粘效果。
技术领域
本发明涉及半导体匀胶显影技术领域,具体地说是一种增粘单元HMDS吹扫结构。
背景技术
现有技术中,根据半导体制造工艺要求,晶圆在送进匀胶腔体之前,首先需要送进增粘单元进行处理,利用HMDS(六甲基二矽烷,英文全名叫Hexamethyldisilazane)将晶圆表面亲水性改为疏水性,这种增粘处理的效果对后期匀胶工艺影响巨大。现有技术中,由于对机台的空间尺寸有严格要求,通常要求各单元部件小而精,以节省空间,提高机台市场竞争力,降低客户成本,但单元总体尺寸小导致增粘单元的HMDS进气口只能位于盘体的侧面,沿着水平方向进气然后经由盘体上部端盖将HMDS气流引导出去。在实际工艺过程中,由于进气量较大,进气速度较快,加上空间尺寸较小,通常会导致盘体侧边进气水平方向的速度矢量没有足够的空间改变方向,所以吹扫晶圆时,在假设四周排风出气阻力一致的情况下,进气管的延伸方向气量较大,而且大部分气量都是直接吹走,进气反方向的盘面获得HMDS的吹气量很少,造成吹扫不均匀,增粘效果有限。
发明内容
本发明的目的在于提供一种增粘单元HMDS吹扫结构,提高了增粘单元的HMDS吹扫均匀性,有效保证增粘效果。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种增粘单元HMDS吹扫结构,包括上端盖、上盘盖、整流板、支撑座和热盘体,其中上盘盖安装在支撑座上,上端盖安装在上盘盖中部,在所述支撑座的底板上设有凸台,所述热盘体固装于所述凸台上,晶圆置于所述热盘体上,上端盖、上盘盖、支撑座侧壁、凸台和热盘体围合成密封空间,在所述密封空间中,在所述热盘体上方设有整流板,且所述热盘体和整流板之间形成吹扫区域,所述整流板与上盘盖之间形成回风区域,吹扫区域中的气体由整流板边缘流入回风区域,所述上端盖内设有进气通道和走气槽,所述进气通道与所述吹扫区域相通,所述走气槽与所述回风区域相通,所述走气槽外槽壁上设有出气口。
所述进气通道呈L型,其中所述进气通道的水平段位于所述走气槽上方,所述进气通道的竖直段设置于所述上端盖中部轴线上,所述进气通道的竖直段出口为吹扫口。
所述进气通道的竖直段末端的吹扫口为扩口结构,其中所述吹扫口靠近所述进气通道水平段进气口的一端为吹扫口反向端,所述吹扫口远离所述进气通道水平段进气口的一端为吹扫口正向端,所述吹扫口反向端与整流板之间的夹角α小于所述吹扫口正向端与整流板之间的夹角β。
所述吹扫口沿着水平方向的任一截面形状均包括光滑连接的半个圆形和半个椭圆形,其中半个圆形构成吹扫口正向端,半个椭圆形构成吹扫口反向端。
沿着所述上端盖的轴向看去,所述出气口轴线与所述进气通道的水平段轴线垂直。
所述上端盖与所述上盘盖相连一端包括中部的端柱和设置于所述端柱外侧的端盖侧壁,其中所述端盖侧壁与所述上盘盖固连,所述端柱与所述整流板相抵,所述端柱与所述端盖侧壁之间形成走气槽。
所述凸台与支撑座侧壁之间留有空隙,所述热盘体边缘固装于所述凸台上。
本发明的优点与积极效果为:
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