[发明专利]硅晶片的洗涤方法

说明书

本发明的硅晶片的洗涤方法的特征在于，具有将硅晶片依次进行浸渍的工序：(1)浸渍于溶解臭氧水溶液等中；(2)浸渍于包含过氧化氢及氢氧化铵的水溶液中；(3)浸渍于溶解臭氧水溶液等中；(4)浸渍于包含具有羧基的有机酸或有机酸盐及氢氟酸的水溶液中；(5)浸渍于包含含有羧基的有机酸或有机酸盐的水溶液中；(6)浸渍于纯水中；以及(7)浸渍于溶解臭氧水溶液等中。由此，不仅可以减少粒径0.1μm以上的大的颗粒，而且也可以减少粒径0.045μm以下的小的颗粒和粒径超过0.045μm且不足0.1μm的中间尺寸的颗粒。

技术领域

本发明涉及硅晶片的洗涤方法。

背景技术

在硅晶片的表面上，在其制造工序中附着金属杂质、粒径为1μm以下的微粒和有机物等，且形成加工损伤。伴随着半导体器件的高集成化、高功能化，日益要求硅晶片的表面不被这些金属杂质、微粒和有机物污染，且无加工损伤，满足此要求的硅晶片的洗涤技术在半导体器件技术整体之中变得极其重要。

专利文献1中记载了具有下述工序的硅晶片的洗涤方法：将硅晶片浸渍于包含过氧化氢及氢氧化铵的水溶液(所谓的SC-1溶液)中的工序(11)；其后，将前述硅晶片浸渍于包含选自溶解臭氧水溶液、硝酸和过氧化氢水溶液的1种或2种以上的氧化液中的工序(12)；其后，将前述硅晶片浸渍于包含具有羧基的有机酸或有机酸盐及氢氟酸的水溶液中的工序(13)；其后，将前述硅晶片浸渍于包含含有羧基的有机酸或有机酸盐的水溶液中的工序(14)；其后，将前述硅晶片浸渍于包含选自溶解臭氧水溶液、硝酸和过氧化氢水溶液的1种或2种以上的氧化液中的工序(15)。据称，根据该洗涤方法，可以以较少的工序数且良好地去除由于加工而产生的微小损伤，以及附着于硅晶片表面的有机物、金属杂质和微粒。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-138198号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1中，其实施例中，利用颗粒计数器评价了残留于洗涤之后的硅晶片表面的粒径0.12μm以上大小的微粒的数目。而且，根据专利文献1的洗涤方法，显示出可以有效地去除、减少这种较大的微粒。

但是，在专利文献1中，关于粒径不足0.12μm的更小的微粒，没有进行任何的考虑和评价。在半导体器件的高集成化、高功能化的情况下，要求也有效地去除小的微粒的洗涤。因此，本发明人进行了研究和实验，判明：虽然在专利文献1的洗涤方法中，确实可以有效地去除、减少粒径0.1μm以上的大的颗粒，但是关于粒径0.045μm以下的小的颗粒和粒径超过0.045μm且不足0.1μm的中间尺寸的颗粒，则去除、减少的效果不充分。

因此，本发明鉴于上述课题，目的在于提供：不仅可以减少粒径0.1μm以上的大的颗粒，而且也可以减少粒径0.045μm以下的小的颗粒和粒径超过0.045μm且不足0.1μm的中间尺寸的颗粒的硅晶片的洗涤方法。

用于解决课题的手段

本发明人为了达成上述的目的进行深入研究，获得了以下的见解。首先，在专利文献1的洗涤方法中，本发明人认为以下2点可能是小的颗粒和中间尺寸的颗粒较多残留的原因：(A)通过SC-1溶液进行的洗涤工序(11)的有机物去除效果存在不充分的可能性；(B)在工序(13)和工序(14)之后，硅晶片表面存在残留有机酸的可能性。

因此，作为(A)的对策，设想了：在通过SC-1溶液进行的洗涤工序(11)的工序之前，追加将硅晶片浸渍于溶解臭氧水溶液等的氧化液中的洗涤工序，通过该洗涤工序来去除硅晶片表面的有机物。另外，作为(B)的对策，设想了：紧跟工序(14)之后，追加将硅晶片浸渍于纯水中的洗涤工序，通过该洗涤工序来去除残留的有机酸。而且，根据本发明人的实验得知，通过追加上述2个的洗涤工序，可以有效地去除小的颗粒和中间尺寸的颗粒。