[发明专利]硅晶片的洗涤方法

权利要求书

1.硅晶片的洗涤方法，其特征在于，具有下述的工序：

第1工序，将硅晶片浸渍于包含选自溶解臭氧水溶液、硝酸和过氧化氢水溶液的1种或2种以上的第1氧化液中；

第2工序，前述第1工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含过氧化氢及氢氧化铵的水溶液中；

第3工序，前述第2工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含选自溶解臭氧水溶液、硝酸和过氧化氢水溶液的1种或2种以上的第2氧化液中；

第4工序，前述第3工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含具有羧基的有机酸或有机酸盐及氢氟酸的水溶液中；

第5工序，前述第4工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含含有羧基的有机酸或有机酸盐的水溶液中；

第6工序，前述第5工序之后，将前述硅晶片浸渍于纯水中；以及

第7工序，前述第6工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含选自溶解臭氧水溶液、硝酸和过氧化氢水溶液的1种或2种以上的第3氧化液中。

2.权利要求1所述的硅晶片的洗涤方法，其中，前述第1氧化液、前述第2氧化液和前述第3氧化液分别为第1～第3溶解臭氧水溶液。

3.权利要求2所述的硅晶片的洗涤方法，其中，前述第1和第2溶解臭氧水溶液中的臭氧浓度为5ppm以上且10ppm以下，前述第3溶解臭氧水溶液中的臭氧浓度为15ppm以上且30ppm以下。

4.权利要求1～3的任一项所述的硅晶片的洗涤方法，其中，前述第4工序中所用的前述水溶液中的氢氟酸的浓度为0.05质量％以上且1.0质量％以下。

5.权利要求1～4的任一项所述的硅晶片的洗涤方法，其中，在前述第4工序和前述第5工序中所用的前述水溶液中的有机酸或有机酸盐的浓度为0.001质量％以上。

6.权利要求1～5的任一项所述的硅晶片的洗涤方法，其中，前述有机酸或有机酸盐为选自以下的1种或2种以上的有机酸或其盐：草酸、柠檬酸、琥珀酸、乙二胺四乙酸、酒石酸、水杨酸、甲酸、马来酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、苯甲酸、丙烯酸、己二酸、丙二酸、苹果酸、乙醇酸、邻苯二甲酸、对苯二甲酸和富马酸。