[发明专利]OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置有效
申请号: | 201710766221.3 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN109427848B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置,涉及显示技术领域。该显示面板包括对盒设置的阵列基板和封装基板;所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元,每个像素单元均包括驱动晶体管;所述封装基板包括相对设置的第一电极和第二电极、以及位于二者之间的绝缘层;其中,所述第一电极与所述驱动晶体管的第一端电连接,所述第二电极与所述驱动晶体管的控制端电连接。本公开可提高开口率。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)作为一种电流型发光器件,具有自发光、快速响应、宽视角、以及可制作于柔性衬底等优点而被广泛的应用于高性能显示领域。按照驱动方式,OLED可分为PMOLED(Passive Matrix Driving OLED,无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED,有源矩阵驱动有机发光二极管)。其中,AMOLED显示装置具有广阔的市场应用而成为目前主流的显示器件之一。
在AMOLED显示装置中,底发光型OLED显示主要应用于大尺寸显示例如OLED电视,但是大尺寸OLED显示一直以来都存在开口率低的问题。以2T1C(2个晶体管1个电容)的OLED结构为例,参考图1和图2所示,在底发光型OLED显示装置的像素结构中,由于其存储电容Cs的两个电极01和02通常设置在沿数据信号线Data方向的两个相邻晶体管之间,且分别利用驱动晶体管DT的栅极金属层以及另外一金属层例如电源信号线Vdd金属层来形成所述存储电容Cs,因此需要占用一定的面积,从而严重的影响OLED器件的开口率。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供一种OLED显示面板,包括对盒设置的阵列基板和封装基板;
所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元,每个像素单元均包括驱动晶体管;
所述封装基板包括相对设置的第一电极和第二电极、以及位于二者之间的绝缘层;
其中,所述第一电极与所述驱动晶体管的第一端电连接,所述第二电极与所述驱动晶体管的控制端电连接。
本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括与所述驱动晶体管的第一端相接触的第一辅助电极;
所述封装基板还包括与所述第一电极相接触的第一导电柱;
其中,所述第一导电柱与所述第一辅助电极电连接。
本公开的一种示例性实施例中,所述第一电极位于所述第二电极背离所述阵列基板的一侧;
所述第二电极在对应所述第一导电柱的位置处设有第一开口,所述绝缘层在对应所述第一导电柱的位置处设有第一过孔,所述第一导电柱穿过所述第一开口和所述第一过孔与所述第一辅助电极相接触;
其中,所述第一开口的尺寸大于所述第一过孔的尺寸,以使所述第一导电柱与所述第二电极之间电绝缘。
本公开的一种示例性实施例中,所述第一电极位于所述第二电极靠近所述阵列基板的一侧;
所述第一导电柱与所述第一辅助电极相接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的