[发明专利]电机驱动电路和电机有效

专利信息
申请号: 201710765422.1 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN109698648B 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 孟繁鹏 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H02P6/20 分类号: H02P6/20;H02P6/24;H02P29/024
代理公司: 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 代理人: 魏嘉熹;南毅宁
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电机 驱动 电路
【说明书】:

本公开提供一种电机驱动电路和电机,以解决相关技术中的电机驱动电路在关断MOS管时形成漏极尖峰电压的问题。所述电机驱动电路通过在电机驱动电路的第i相的低边MOS管Qi2漏极接入尖峰电压抑制单元130,其中,所述尖峰电压抑制单元130包括电容Ci1,电感Li1,二极管Di1,二极管Di2。在关断所述低边MOS管Qi2时,部分流经第i相感性绕组负载的电流对接于所述低边MOS管Qi2漏极的电容Ci1充电;在下一次开启所述低边MOS管Qi2时,所述尖峰电压抑制单元130中的电容Ci1、电感Li1和二极管Di2形成震荡电路,电容Ci1放电生成的电流经所述震荡电路再流经二极管Di1至电源母线Vbus。

技术领域

本公开涉及电力电子领域,具体地,涉及一种电机驱动电路和电机。

背景技术

目前,在电机的驱动电路中,通常使用MOS管作为开关元器件。具体地,PWM控制端根据一定的控制逻辑,依次控制电机驱动电路每相的高边MOS管或者低边MOS管的通断,以控制每相负载绕组的工作电压或电流。

以星接三相无传感器直流无刷电机的其中一相为例,该相的负载绕组一端接其他两项负载绕组,一端接所述高边MOS管源极和所述低边MOS管漏极。在该相高边MOS管关断,并且低边MOS管开启的情况下,电流通过该负载绕组流经低边MOS管再流回电源。若PWM控制端控制该低边MOS管关断,则在关断低边MOS管的瞬间,由于负载绕组具有阻止线路中电流变化的感性特质,会在低边MOS管的漏极形成尖峰电压。过大的尖峰电压加速MOS管的损耗,甚至击穿MOS管导致电机故障。

发明内容

本公开提供一种电机驱动电路和电机,以解决相关技术中的电机驱动电路在关断MOS管时形成漏极尖峰电压的问题。

为了实现上述目的,本公开第一方面提供一种电机驱动电路,所述电路包括N个相驱动模块,N为大于0小于或等于M的正整数,M为所述电机的相数;

其中,第i相驱动模块100包括高边驱动单元110,低边驱动单元120,尖峰电压抑制单元130,i为大于0小于或等于N的正整数;

所述高边驱动单元110包括高边MOS管Qi1;

所述高边MOS管Qi1的栅极用于连接控制端Vi1,所述高边MOS管Qi1的漏极用于连接电源母线Vbus,所述高边MOS管Qi1的源极用于接所述电机的第i负载绕组;

所述低边驱动单元120还包括低边MOS管Qi2;

所述低边MOS管Qi2的栅极用于连接控制端Vi2,所述低边MOS管Qi2的漏极用于接所述电机的第i负载绕组,所述低边MOS管Qi2的源极用于接地;

所述尖峰电压抑制单元130包括电容Ci1,电感Li1,二极管Di1,二极管Di2;

所述电容Ci1的第一端接所述低边MOS管Qi2的漏极,所述电容Ci1的第二端接所述二极管Di1的正极;所述电感Li1的第一端接所述低边MOS管Qi2的源极,所述电感Li1的第二端接所述二极管Di2的正极;所述二极管Di2的负极接所述二极管Di1的正极;所述二极管Di1的负极用于连接所述电源母线Vbus。

可选地,所述高边驱动单元110还包括高边栅极电流泄放单元111,所述高边栅极电流泄放单元111包括二极管Di3,三极管Ti1;

所述三极管Ti1的基极用于连接所述控制端Vi1,所述三极管Ti1的发射极接所述高边MOS管Qi1的栅极,所述三极管Ti1的集电极接所述高边MOS管Qi1的源极;

所述二极管Di3的正极接所述三极管Ti1的基极,所述二极管Di3的负极接所述三极管Ti1的发射极。

可选地,所述高边驱动单元110包括电阻Ri1,所述电阻Ri1串联于所述控制端和所述三极管Ti1的发射极之间。

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