[发明专利]电机驱动电路和电机有效
| 申请号: | 201710765422.1 | 申请日: | 2017-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN109698648B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
| 发明(设计)人: | 孟繁鹏 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号: | H02P6/20 | 分类号: | H02P6/20;H02P6/24;H02P29/024 |
| 代理公司: | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 魏嘉熹;南毅宁 |
| 地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电机 驱动 电路 | ||
1.一种电机驱动电路,其特征在于,所述电路包括N个相驱动模块,N为大于0小于或等于M的正整数,M为所述电机的相数;
其中,第i相驱动模块100包括高边驱动单元110,低边驱动单元120,尖峰电压抑制单元130,i为大于0小于或等于N的正整数;
所述高边驱动单元110包括高边MOS管Qi1;
所述高边MOS管Qi1的栅极用于连接控制端Vi1,所述高边MOS管Qi1的漏极用于连接电源母线Vbus,所述高边MOS管Qi1的源极用于接所述电机的第i负载绕组;
所述低边驱动单元120包括低边MOS管Qi2;
所述低边MOS管Qi2的栅极用于连接控制端Vi2,所述低边MOS管Qi2的漏极用于接所述电机的第i负载绕组,所述低边MOS管Qi2的源极用于接地;
所述尖峰电压抑制单元130包括电容Ci1,电感Li1,二极管Di1,二极管Di2;
所述电容Ci1的第一端接所述低边MOS管Qi2的漏极,所述电容Ci1的第二端接所述二极管Di1的正极;所述电感Li1的第一端接所述低边MOS管Qi2的源极,所述电感Li1的第二端接所述二极管Di2的正极;所述二极管Di2的负极接所述二极管Di1的正极;所述二极管Di1的负极用于连接所述电源母线Vbus。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述高边驱动单元110还包括高边栅极电流泄放单元111,所述高边栅极电流泄放单元111包括二极管Di3,三极管Ti1;
所述三极管Ti1的基极用于连接所述控制端Vi1,所述三极管Ti1的发射极接所述高边MOS管Qi1的栅极,所述三极管Ti1的集电极接所述高边MOS管Qi1的源极;
所述二极管Di3的正极接所述三极管Ti1的基极,所述二极管Di3的负极接所述三极管Ti1的发射极。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述高边驱动单元110包括电阻Ri1,所述电阻Ri1串联于所述控制端Vi1和所述三极管Ti1的发射极之间。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述电阻Ri1的阻值为其中,Ls为所述高边MOS管Qi1的寄生电感,所述寄生电感包括所述高边MOS管Qi1的源极寄生电感和栅极引脚的寄生电感;Ciss为所述高边MOS管Qi1的栅源极输入电容。
5.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述高边驱动单元110包括电容Ci2,所述电容Ci2的第一端接所述高边MOS管Qi1的栅极,所述电容Ci2的第二端接地。
6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述电容Ci2的电容值为其中,Iq为所述高边MOS管Qi1栅极的最大电流;Dmax为所述控制端Vi1输出信号的最大占空比,f为所述控制端Vi1输出信号的工作频率,Q为所述高边MOS管Qi1的栅极电容的静态电荷,ΔV为所述高边MOS管Qi1的栅源极开启电压。
7.根据权利要求1至6任一项所述的电路,其特征在于,当所述电路包括多个相驱动模块时,所述多个相驱动模块之间并联连接。
8.一种电机,其特征在于,所述电机包括权利要求1至7任一项所述电机驱动电路。
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