[发明专利]顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法。

背景技术

在目前，有机电致发光显示(OLED)以轻薄、低耗、高响应、高分辨等特征在平板显示领域暂露头角，其潜在的市场前景被业界看好。顶发射AMOLED(主动式有机电致发光二极管)可有效解决由于复杂TFT(薄膜场效应晶体管)补偿电路所带来的开口率降低及显示屏亮度降低的问题，同时通过利用顶发射AMOLED器件结构中存在的微腔效应，还可以对AMOLED显示屏的色域进行改善，提高显示效果。

作为顶发射AMOLED必须投射部分，透明阴极的透光率和导电度是至关重要的因素。常用的阴极材料如Al、Mg-Ag、Ag都只有在很薄时才能有较好的透光度，但阴极层过薄会导致断路或金属氧化，不能形成有效的欧姆接触，致使显示屏亮度不均。

发明内容

鉴于现有技术中的上述问题，本发明的目的在于提供一种顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法，能够形成电极层之间的有效接触，提高图像刷新频率。

本发明提供一种顶发射有机电致发光二极管显示器件，包括：薄膜晶体管基板；有机发光层，设置在所述薄膜晶体管基板上；阴极层，设置在所述有机发光层上；阴极辅助层，设置在所述阴极层上；盖板，与所述薄膜晶体管基板相对；隔垫物，设置在所述盖板与所述薄膜晶体管基板相对的一面，与所述阴极辅助层接触。

其中，所述阴极辅助层为采用3D打印技术所形成的金属电极膜层。

所述顶发射有机电致发光二极管还包括设置在所述薄膜晶体管上的像素定义层，所述阴极层覆盖所述像素定义层，所述阴极辅助层的位置与所述像素定义层的位置相对应。

其中，所述阴极辅助层的厚度在300nm至600nm之间。

其中，所述阴极层的厚度在100nm至200nm之间。

本发明还提供一种顶发射有机电致发光二极管的制造方法，包括：形成薄膜晶体管基板；在所述薄膜晶体管基板上形成像素定义有机发光层；在所述有机层上形成阴极层；在所述阴极层上形成阴极辅助层；形成盖板，在所述盖板上形成隔垫物；对盒所述盖板与所述薄膜晶体管基板，使得所述隔垫物与所述阴极辅助层接触。

其中，在所述阴极层上形成阴极辅助层包括采用3D打印技术在有机膜层上形成金属电极膜层，将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合，去除所述有机膜层。

其中，所述有机膜层为聚酰亚胺薄膜。

其中，将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合包括：采用卷对卷的方式利用导电胶层将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合。

其中该制造方法还包括在所述薄膜晶体管基板上形成像素定义层，所述阴极层覆盖所述像素定义层，所述阴极辅助层的位置与所述像素定义层的位置相对应。

根据本发明的顶发射有机电致发光二极管显示器件，采用3D打印技术，能够通过厚度较厚的阴极辅助层与阴极层结合在一起降低薄膜晶体管基板上阴极层的电阻，提高图像刷新频率，同时不会影响透光率。

附图说明

图1是示出根据现有技术的顶发射有机电致发光二极管显示器件的结构示意图。

图2是示出现有技术中形成在隔垫物上的电接触层的扫描电子图像。

图3是示出根据本发明实施例的顶发射有机电致发光二极管显示器件的结构示意图。

图4是示出根据本发明实施例的顶发射有机电致发光二极管显示器件的制造方法的工艺流程图。

图5是示出根据本发明实施例的阴极辅助层的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

如图1所示，现有技术的顶发射有机电致发光二极管显示器件，包括：玻璃基板101，设置在玻璃基板的薄膜晶体管基板102；像素定义层103，有机发光层(图中未示出)，设置在所述薄膜晶体管基板上；阴极层104设置在有机发光层上，隔垫物(PS)106，设置在阴极层上，阴极辅助层107设置在隔垫物106上。