[发明专利]顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710761279.9 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107342372A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李伟;谢蒂旎;张星 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人： | 袁礼君,王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 有机 电致发光 二极管 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种顶发射有机电致发光二极管显示器件，包括：
薄膜晶体管基板；
有机发光层，设置在所述薄膜晶体管基板上；
阴极层，设置在所述有机发光层上；
阴极辅助层，设置在所述阴极层上；
盖板，与所述薄膜晶体管基板相对；
隔垫物，设置在所述盖板与所述薄膜晶体管基板相对的一面，与所述阴极辅助层接触。
2.如权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，所述阴极辅助层为采用3D打印技术所形成的金属电极膜层。
3.如权利要求1或2所述的顶发射有机电致发光二极管，还包括设置在所述薄膜晶体管上的像素定义层，所述阴极层覆盖所述像素定义层，所述阴极辅助层的位置与所述像素定义层的位置相对应。
4.如权利要求1或2所述的顶发射有机电致发光二极管，所述阴极辅助层的厚度在300nm至600nm之间。
5.如权利要求1或2所述的顶发射有机电致发光二极管，所述阴极层的厚度在100nm至200nm之间。
6.一种顶发射有机电致发光二极管的制造方法，包括：
形成薄膜晶体管基板；
在所述薄膜晶体管基板上形成像素定义有机发光层；
在所述有机层上形成阴极层；
在所述阴极层上形成阴极辅助层；
形成盖板，在所述盖板上形成隔垫物；
对盒所述盖板与所述薄膜晶体管基板，使得所述隔垫物与所述阴极辅助层接触。
7.如权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制造方法，其中在所述阴极层上形成阴极辅助层包括采用3D打印技术在有机膜层上形成金属电极膜层，将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合，去除所述有机膜层。
8.如权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制造方法，其中所述有机膜层为聚酰亚胺薄膜。
9.如权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制造方法，其中将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合包括：采用卷对卷的方式利用导电胶层将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合。
10.如权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制造方法，还包括在所述薄膜晶体管基板上形成像素定义层，所述阴极层覆盖所述像素定义层，所述阴极辅助层的位置与所述像素定义层的位置相对应。
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