[发明专利]光学临近修正的建模方法及用于其的图形权重生成方法有效
| 申请号: | 201710757094.0 | 申请日: | 2017-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN109426067B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
| 发明(设计)人: | 王良;王辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;卜璐璐 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 临近 修正 建模 方法 用于 图形 权重 生成 | ||
本发明提供一种光学临近修正的建模方法及用于其的图形权重生成方法。所述光学临近修正的建模方法包括:基于量测文件中多种量测图形各自的多个测量值构建量测矩阵;对所述量测矩阵进行特征分解以得到特征值;以及基于所述特征值生成针对所述多种量测图形各自的权重。本发明所提供的用于光学临近修正建模的图形权重生成方法通过定量的方式设置量测文件中各种量测图形的权重,与传统的定性设置权重的方式相比,能够更接近最优的权重,从而使得基于其的光学临近修正的建模过程中所需的迭代次数显著减少,从而缩短建模时间,提高建模效率和模型的精确度。
技术领域
本发明涉及光学临近修正(Optical Proximity Correction,OPC)技术领域,具体而言涉及一种光学临近修正的建模方法及用于其的图形权重生成方法。
背景技术
随着集成电路的复杂度越来越高,特征尺寸也变的越来越小,这使得对于OPC建模的精确度的规格要求也越来越严格。在OPC建模中一个关键的步骤是使用带权重的量测文件(gauge file)优化OPC模型。
在传统的流程中,带权重的量测文件中各种量测图形的权重是基于定性的方法来设置的,也即是基于工程师对图形的分类和理解程度以及工程经验来设置的。为了实现较优的权重设置,需要对“模型优化-验证-权重调整”的过程进行大量次数的迭代,这是非常耗时和低效的。
发明内容
针对上述问题,一方面,本发明提供一种用于光学临近修正建模的图形权重生成方法,所述方法包括:基于量测文件中多种量测图形各自的多个测量值构建量测矩阵;对所述量测矩阵进行特征分解以得到特征值;以及基于所述特征值生成针对所述多种量测图形各自的权重。
在本发明的一个实施例中,所述基于量测文件中多种量测图形各自的多个测量值构建量测矩阵包括:从所述量测文件中选择n种图形,其中n为大于1的自然数;对于所述n种图形中的每种图形,选择n个测量值;以及基于所选择的n2个测量值构建方阵以作为所述量测矩阵。
在本发明的一个实施例中,所述基于所选择的n2个测量值构建方阵以作为所述量测矩阵包括:将所述每种图形的n个测量值以行的形式填充到矩阵中。
在本发明的一个实施例中,所述基于所述特征值生成针对所述多种量测图形各自的权重包括:如果所生成的特征值为实数,则直接将所述特征值作为所述权重;如果所生成的特征值为复数,则取所述复数的实部或对所述复数求模以作为所述权重。
在本发明的一个实施例中,所述方法还包括:根据需要对所述权重进行定性微调,以实现定量与定性相结合地生成针对所述多种量测图形各自的最优权重。
在本发明的一个实施例中,所述定性微调包括:基于所述量测图形的类型、设计规则以及工程经验这三者中的至少一项进行权重微调。
在本发明的一个实施例中,所述多种量测图形包括不同尺寸的同一类别的量测图形和/或不同类别的量测图形。
在本发明的一个实施例中,所述量测图形为测试光罩上设计的图形,每种量测图形对应的所述测量值为该种量测图形曝光到晶圆上的测量值。
在本发明的一个实施例中,所述量测图形包括跨节距图形和/或二维图形。
另一方面,本发明提供一种光学临近修正的建模方法,所述方法包括:基于带权重的量测文件优化光学临近修正模型,直到所述模型满足规格,其中,所述带权重的量测文件为量测文件中包含各种量测图形的各自权重的量测文件,所述各种量测图形的各自权重是基于上述任一项所述的用于光学临近修正建模的图形权重生成方法生成。
本发明所提供的用于光学临近修正建模的图形权重生成方法通过定量的方式设置量测文件中各种量测图形的权重,与传统的定性设置权重的方式相比,能够更接近最优的权重,从而使得基于其的光学临近修正的建模过程中所需的迭代次数显著减少,从而缩短建模时间,提高建模效率和模型的精确度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710757094.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:掩模图形的修正方法及其修正系统
- 下一篇:使用光掩膜衬底形貌的EUV图案化
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





