[发明专利]一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法有效
| 申请号： | 201710755336.2 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107731842B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 隋翔宇;唐兆云;赵治国;陆智勇;王攀;江润峰;王香凝;赵新梅;石晓静;王恩博 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 郎志涛 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 底部 选择 栅极 氧化物 厚度 均一 方法 | ||
1.一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上形成底部选择栅极下部氧化物层；
沉积第一层氮化硅，并沉积第一层氧化物层；
在核心区域进行掩膜覆盖并去除衬底上的第一层氮化硅和第一层氧化物层并停止在衬底表面；
对掩膜覆盖区域底部的第一层氮化硅进行回刻；
沉积氮化硅保护层；
在核心区域第三层台阶区域外涂覆光刻胶掩膜；
刻蚀，并停止在核心区域的所述第一层氧化物层；
去除所述涂覆光刻胶掩膜，并沉积氮化物-氧化物堆叠结构；
刻蚀所述堆叠结构形成核心区域台阶结构。
2.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，在刻蚀所述堆叠结构形成核心区域台阶结构后还包括在台阶结构上形成栅极线槽并刻蚀所述回刻工艺后核心区域剩余的第一层氮化硅，再形成底部选择栅极的步骤。
3.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，第一层氧化物层的厚度为
4.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述在核心区域进行掩膜覆盖的掩膜垫的关键尺寸为以第三层台阶结构为基准扩大350nm。
5.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述去除衬底上的第一层氮化硅和第一层氧化物层采用的是干法刻蚀。
6.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述在核心区域进行掩膜覆盖并去除衬底上的第一层氮化硅和第一层氧化物层并停止在衬底表面步骤之后，在对掩膜覆盖区域底部的第一层氮化硅进行回刻步骤之前，还包括对核心区域覆盖的掩膜进行湿法剥离的步骤。
7.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述回刻为采用磷酸进行刻蚀。
8.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述氮化硅保护层为刻蚀阻挡层。
9.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述刻蚀并停止在核心区域的所述第一层氧化物层为采用干法刻蚀。
10.如权利要求1所述的提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，所述沉积氮化物-氧化物堆叠结构为先沉积一层的氧化物层再沉积氮化物-氧化物堆叠结构。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
