[发明专利]一种形成多层复合膜的方法及三维存储器件

权利要求书

1.一种形成多层复合膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板上至少包括核心三维存储器件区以及位于所述核心存储器件区周围的外围电路区，所述核心三维存储器件区包括位于所述基板上依次形成的多层存储器堆叠结构，所述堆叠结构在其至少一侧形成台阶结构，使得所述堆叠结构中的每一层都至少部分的暴露，所述堆叠结构的高度高于所述外围电路区的高度；

在所述基板上形成复合介质层薄膜以完全覆盖所述核心存储器件区以及所述外围电路区，所述复合介质层薄膜包括依次形成的多层复合薄膜，所述多层复合薄膜中最后形成的一层薄膜的表面距离所述基板表面的高度不低于所述堆叠结构的表面距离所述基板表面的高度；

所述多层复合薄膜形成之后，通过退火处理使其中各个层之间的边界消失，形成复合薄膜；

所述多层复合薄膜中各层薄膜所具有的应力系数不完全相同。

2.如权利要求1所述的形成多层复合膜的方法，其特征在于：所述多层复合薄膜中各层薄膜所具有的应力系数均不相同。

3.如权利要求1所述的形成多层复合膜的方法，其特征在于：所述多层复合膜至少包含第一薄膜，第二薄膜，第三薄膜或第四薄膜的任意组合。

4.如权利要求3所述的形成多层复合膜的方法，其特征在于：所述第一薄膜具有的应力系数为-100至-50，所述第二薄膜的应力系数为-50至0，所述第三薄膜的应力系数为0至70，所述第四薄膜的应力系数大于70。

5.如权利要求1所述的形成多层复合膜的方法，其特征在于：在形成所述多层复合薄膜之前，还包含在所述基板上形成一钝化层。

6.如权利要求1所述的形成多层复合膜的方法，其特征在于：在所述退火处理之后，还包括对所述多层复合薄膜进行化学机械抛光处理，以使其表面平坦化。

7.如权利要求1所述的形成多层复合膜的方法，其特征在于：所述多层复合薄膜的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅之一或其任意组合。

8.一种具有多层复合薄膜的三维存储器件，其特征在于，所述三维存储器件由如权利要求1至7的任意一项所述的方法制成。