[发明专利]一种光刻胶去胶液

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆制造技术领域，特别涉及一种去胶效果好且对底材的攻击较小的光刻胶去胶液。

背景技术

光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种不导电的光敏材料，它通过受到光照后特性会发生改变的原理将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。显影过后未固化的光刻胶需要用去胶液洗掉，暴露出底材再进行相应的蚀刻。

对去胶液来说，最重要的是对攻击材料的选择性，也就是说去胶液应该高效去除光刻胶，但不能对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材有明显的腐蚀作用。

本发明就是为了提供一种新的去胶液来解决以上问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种去胶效果好且对底材的攻击较小的光刻胶去胶液。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种光刻胶去胶液，其配方包括：1-30wt％醇类，0.1-10wt％有机醇胺，0.1-5wt％季铵碱，60-90wt％极性非质子有机溶剂以及补足余量的去离子水。

具体的，所述极性非质子有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺，N,N-二甲基乙酰胺，N-甲基吡咯烷酮，碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一种。

具体的，所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺的一种。

具体的，所述配方还包括0.01-2wt％的还原剂，所述还原剂为水合联氨、羟胺或羟胺盐中的一种。

具体的，所述醇类为一元醇、二元醇或三元醇。

具体的，所述配方还包括0.1-5wt％的阻蚀剂，所述阻蚀剂为唑类、有机胺、氨基酸、硫脲或有机硅酸盐中的一种。

采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：

本发明的光刻胶去胶液不仅大大提高了去胶速度及去胶能力，而且降低了对金属、钝化层、氧化硅等各种底材的腐蚀；水溶性比较好，去胶过后容易清洗。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

一种光刻胶去胶液，其配方包括：1-30wt％醇类，0.1-10wt％有机醇胺，0.1-5wt％季铵碱，60-90wt％极性非质子有机溶剂以及补足余量的去离子水。

实施例1～9：

按照表1的配方在无尘实验室中，按配比依次加入醇类、有机醇胺、季铵碱(选择性地加入还原剂)、去离子水、极性非质子有机溶剂(选择性地加入阻蚀剂)，搅拌均匀即可。

表1：

单位：wt％

注：表1内总配比不到100wt％的部分以去离子水补足。

以现有市面上买到的某光刻胶去胶液作为对照例，同实施例1～9制得的光刻胶去胶液进行对比。

检测方法为：

①实验品光刻胶去胶时间为15min。实验品的去胶表面由光学显微镜(OM)检测；

②底材测试片腐蚀时间为60min。底材腐蚀速率由四探针电阻率测量仪(4-point probe)检测，或是由椭偏仪(ellipsometer)检测，或是目测。

结果如下：

表2：

单位：μm/min

从表2所示的测试结果可以看出，本发明的光刻胶去胶液的去胶速度基本在19～22μm/min，远高于对照例的3.5μm/min；但本光刻胶去胶液对铜、钝化层、氧化硅等各种底材的腐蚀效率很低。

因为配方中加入了大量极性非质子有机溶剂，所以水溶性比较好，去胶过后容易清洗；而且不光对铜，对其他金属的腐蚀效率同样很低。

还原剂和阻蚀剂用来抑制光刻胶去胶液对底材的腐蚀作用，在必要的时候添加。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。