[发明专利]像素结构及其驱动方法、显示装置

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括多个像素单元，每个所述像素单元均包括第一薄膜晶体管、像素电极和公共电极，且至少一个所述像素单元还包括第二薄膜晶体管，其中，所述像素单元的第一薄膜晶体管与该像素单元的像素电极连接；所述像素单元的第二薄膜晶体管与该像素单元的公共电极连接。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，多个所述像素单元呈N×M阵列排布；所述像素结构还包括交叉限定出多个像素区的多条栅线和多条数据线，所述每个像素单元位于对应的所述像素区内，所述栅线的数量为N+1条，所述数据线的数量为M条；

第i行所述像素单元中，所述像素单元的第一薄膜晶体管的栅极与第i条所述栅线连接，所述像素单元的第二薄膜晶体管的栅极与第i+1条所述栅线连接，其中，1≤i≤N。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，多个所述像素单元呈N×M阵列排布；所述像素结构还包括交叉限定出多个像素区的多条栅线和多条数据线，所述每个像素单元位于对应的所述像素区内，所述栅线的数量为N+1条，所述数据线的数量为M条；

第i行所述像素单元中，所述第二薄膜晶体管的栅极与第i条所述栅线连接，所述像素单元的第一薄膜晶体管的栅极与第i+1条所述栅线连接，其中，1≤i≤N。

4.根据权利要求2或3所述的像素结构，其特征在于，第j列所述像素单元中，所述第一薄膜晶体管的源极与第j条所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；所述第二薄膜晶体管的源极与第j条所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述公共电极连接；1≤j≤M。

5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～4任一所述的像素结构。

6.一种像素结构的驱动方法，其特征在于，包括：

根据待显示的画面，确定各像素单元的像素电极与公共电极之间的电压差；

根据各所述像素单元的像素电极与公共电极之间的电压差，使所述像素单元的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管导通，分别向所述像素电极和所述公共电极充电。

7.根据权利要求6所述的像素结构的驱动方法，其特征在于，使所述像素单元的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管导通，分别向对应的所述像素电极和所述公共电极充电，包括：

通过第1条栅线，使第1行所述像素单元中各所述像素单元的第一薄膜晶体管导通，并通过各数据线，向第1行所述像素单元中各所述像素单元的像素电极充电；

根据第1行所述像素单元至第N-1行所述像素单元中各所述像素单元的像素电极与公共电极之间的电压差，以及第s-1行所述像素单元中各所述像素单元的像素电极的电压，通过第s条栅线，使第s行所述像素单元中各所述像素单元的第一薄膜晶体管、及第s-1行所述像素单元中各所述像素单元的第二薄膜晶体管导通，并通过各所述数据线，向第s行所述像素单元中各所述像素单元的像素电极，以及第s-1行所述像素单元中各所述像素单元的公共电极充电；其中，s为大于1且小于N+1的整数；

根据第N行所述像素单元中各所述像素单元的像素电极与公共电极之间的电压差，以及第N行所述像素单元中各像素单元的像素电极的电压，通过第N+1条栅线，使第N行所述像素单元中各所述像素单元的第二薄膜晶体管导通，并通过各所述数据线，向第N+1行所述像素单元中各所述像素单元的公共电极充电。