[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一晶体管；

第二晶体管；

覆盖所述第一晶体管的至少一部分的第一金属氧化物；

所述第一晶体管及所述第二晶体管上的绝缘膜；以及

所述绝缘膜上的第二金属氧化物，

其中，所述第一晶体管包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；

所述第一栅极绝缘膜上的第一氧化物；

与所述第一氧化物电连接的第一源电极及第一漏电极；

所述第一氧化物上的第二栅极绝缘膜；以及

所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，

所述第二晶体管包括：

第三栅电极；

所述第三栅电极上的第三栅极绝缘膜；

所述第三栅极绝缘膜上的第二氧化物；

与所述第二氧化物电连接的第二源电极及第二漏电极；

所述第二氧化物上的第四栅极绝缘膜；以及

所述第四栅极绝缘膜上的第四栅电极，

所述第一栅极绝缘膜及所述第二栅极绝缘膜与所述第一金属氧化物接触，

所述第三栅极绝缘膜及所述第四栅极绝缘膜与所述绝缘膜接触，

并且，所述绝缘膜包含过剩氧。

2.一种半导体装置，包括：

第一晶体管；

第二晶体管；

覆盖所述第一晶体管的至少一部分和所述第二晶体管的至少一部分的第一金属氧化物；

所述第一晶体管及所述第二晶体管上的绝缘膜；以及

所述绝缘膜上的第二金属氧化物，

其中，所述第一晶体管包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；

所述第一栅极绝缘膜上的第一氧化物；

与所述第一氧化物电连接的第一源电极及第一漏电极；

所述第一氧化物上的第二栅极绝缘膜；以及

所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，

所述第二晶体管包括：

第三栅电极；

所述第三栅电极上的第三栅极绝缘膜；

所述第三栅极绝缘膜上的第二氧化物；

与所述第二氧化物电连接的第二源电极及第二漏电极；

所述第二氧化物上的第四栅极绝缘膜；以及

所述第四栅极绝缘膜上的第四栅电极，

所述第一栅极绝缘膜与所述绝缘膜接触，

所述第二栅极绝缘膜与所述第一金属氧化物及所述绝缘膜接触，

所述第三栅极绝缘膜及所述第四栅极绝缘膜与所述绝缘膜接触，

并且，所述绝缘膜包含过剩氧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一金属氧化物抑制氧透过。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一金属氧化物及所述第二金属氧化物包含铝及氧。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一电路；以及

第二电路，

其中所述第一电路包括多个所述第一晶体管，

并且所述第二电路包括多个所述第二晶体管。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第一电路所包括的所述多个第一晶体管的每一个的沟道宽度为所述多个第一晶体管的每一个的沟道长度的2倍以上且1000倍以下。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第一电路所包括的所述多个第一晶体管的每一个的沟道长度为所述多个第一晶体管的每一个的沟道宽度的2倍以上且1000倍以下。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第二电路所包括的所述多个第二晶体管的密度为0.01个/μm²以上且2500个/μm²以下。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第一电路所包括的所述多个第一晶体管的密度低于所述第二电路所包括的所述多个第二晶体管的密度。

10.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第一电路所包括的所述多个第一晶体管的每一个的沟道宽度大于所述第二电路所包括的所述多个第二晶体管的每一个的沟道宽度。