[发明专利]掩膜条及其制备方法、掩膜板有效
申请号: | 201710742464.3 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN109423600B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 张健;黄俊杰;林治明;张新建;王琦;郝志元;张德;刘德健;王震;孙朴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 侧区域 掩膜条 掩膜区域 应力集中区域 应力集中结构 掩膜单元 预设距离 制备 褶皱 拉伸方向 应力分布 掩膜板 减小 拉伸 排布 掩膜 预设 蒸镀 | ||
本发明公开了一种掩膜条及其制备方法、掩膜板,包括:掩膜条主体包括:沿预设拉伸方向排布的若干个掩膜单元,掩膜单元包括:掩膜区域和非掩膜区域,非掩膜区域上与掩膜条主体的边缘的距离小于等于第一预设距离的点所构成的区域为边侧区域,边侧区域内与对应的掩膜区域之间的距离小于等于第二预设距离的点所构成的区域为原始应力集中区域,边侧区域内除原始应力集中区域之外的其他区域内至少部分位置设置有应力集中结构。本发明的技术方案通过在边侧区域内除原始应力集中区域之外的其他区域内至少部分位置设置应力集中结构,可使得掩膜条在被拉伸时,边侧区域的应力分布更为均匀,从而能有效减小边侧区域的褶皱的幅度,提升蒸镀效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜条及其制备方法、掩膜板。
背景技术
目前,有机电致发光显示器件(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能,已经逐渐成为显示领域的主流。在量产OLED时,需要使用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask,简称FMM)、采用蒸镀工艺在各像素单元内形成有机发光层。
在制备精细金属掩膜板的过程中,需要先在掩膜条的两端施加拉力,以对其进行拉伸,然后将掩膜条与固定框架进行固定,从而得到精细金属掩膜板。
然而,当掩膜条上的掩膜区域为异形(不为矩形)时,在拉伸掩膜条的过程中,掩膜条的边侧区域会因为应力分布不均匀而产生幅度(偏离掩膜条基准平面的最大值)较大的褶皱。当使用具有上述掩膜条的精细金属掩膜板制备有机发光层时,褶皱会使得掩膜条的掩膜区域与显示基板之间的距离增大,从而影响蒸镀效果。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种掩膜条及其制备方法、掩膜板。
为实现上述目的,本发明提供了一种掩膜条,包括:掩膜条主体,掩膜条主体包括:沿预设拉伸方向排布的若干个掩膜单元,所述掩膜单元包括:掩膜区域和围绕所述掩膜区域的非掩膜区域,所述非掩膜区域内与所述掩膜条主体的边缘的距离小于等于第一预设距离的点所构成的区域为边侧区域,所述边侧区域内与对应的掩膜区域之间的距离小于等于第二预设距离的点所构成的区域为原始应力集中区域,所述边侧区域内除所述原始应力集中区域之外的其他区域内至少部分位置设置有应力集中结构。
可选地,所述应力集中结构包括:呈阵列排布的若干个凹槽。
可选地,所述凹槽为焊点槽或刻蚀槽。
可选地,当所述凹槽为焊点槽时,所述应力集中结构中的各所述焊点槽均不相交。
可选地,所述掩膜单元的形状为矩形,所述掩膜区域的形状为圆形且其中心点位于所述掩膜单元的中心,所述应力集中结构位于所述掩膜单元的四个角处。
可选地,所述应力集中结构的形状为矩形,所述应力集中结构的长度方向与所述预设拉伸方向平行。
可选地,所述掩膜单元中的掩膜区域的数量为1个或多个;
当所述掩膜单元中的掩膜区域的数量为多个时,所述掩膜单元中的掩膜区域沿垂直与所述预设拉伸方向的方向排布。
为实现上述目的,本发明还提供了一种掩膜板,包括:如上述的掩膜条。
为实现上述目的,本发明还提供了一种掩膜条的制备方法,包括:
形成掩膜条主体,所述掩膜条主体包括:沿预设拉伸方向排布的若干个掩膜单元,所述掩膜单元包括:掩膜区域和围绕所述掩膜区域的非掩膜区域,所述非掩膜区域上与所述掩膜条主体的边缘的距离小于等于第一预设距离的点所构成的区域为边侧区域,所述边侧区域内与对应的掩膜区域之间的距离小于等于第二预设距离的点所构成的区域为原始应力集中区域;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710742464.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类