[发明专利]掩膜条及其制备方法、掩膜板有效
申请号: | 201710742464.3 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN109423600B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 张健;黄俊杰;林治明;张新建;王琦;郝志元;张德;刘德健;王震;孙朴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧区域 掩膜条 掩膜区域 应力集中区域 应力集中结构 掩膜单元 预设距离 制备 褶皱 拉伸方向 应力分布 掩膜板 减小 拉伸 排布 掩膜 预设 蒸镀 | ||
1.一种掩膜条,其特征在于,包括:掩膜条主体,掩膜条主体包括:沿预设拉伸方向排布的若干个掩膜单元,所述掩膜单元包括:掩膜区域和围绕所述掩膜区域的非掩膜区域,所述非掩膜区域内与所述掩膜条主体的边缘的距离小于等于第一预设距离的点所构成的区域为边侧区域,所述边侧区域内与对应的掩膜区域之间的距离小于等于第二预设距离的点所构成的区域为原始应力集中区域,所述边侧区域内除所述原始应力集中区域之外的其他区域内至少部分位置设置有应力集中结构;所述应力集中结构包括:呈阵列排布的若干个凹槽。
2.根据权利要求1所述的掩膜条,其特征在于,所述凹槽为焊点槽或刻蚀槽。
3.根据权利要求2所述的掩膜条,其特征在于,当所述凹槽为焊点槽时,所述应力集中结构中的各所述焊点槽均不相交。
4.根据权利要求1所述的掩膜条,其特征在于,所述掩膜单元的形状为矩形,所述掩膜区域的形状为圆形且其中心点位于所述掩膜单元的中心,所述应力集中结构位于所述掩膜单元的四个角处。
5.根据权利要求1所述的掩膜条,其特征在于,所述应力集中结构的形状为矩形,所述应力集中结构的长度方向与所述预设拉伸方向平行。
6.根据权利要求1所述的掩膜条,其特征在于,所述掩膜单元中的掩膜区域的数量为1个或多个;
当所述掩膜单元中的掩膜区域的数量为多个时,所述掩膜单元中的掩膜区域沿垂直与所述预设拉伸方向的方向排布。
7.一种掩膜板,其特征在于,包括:如上述权利要求1-6中任一所述的掩膜条。
8.一种掩膜条的制备方法,其特征在于,包括:
形成掩膜条主体,所述掩膜条主体包括:沿预设拉伸方向排布的若干个掩膜单元,所述掩膜单元包括:掩膜区域和围绕所述掩膜区域的非掩膜区域,所述非掩膜区域上与所述掩膜条主体的边缘的距离小于等于第一预设距离的点所构成的区域为边侧区域,所述边侧区域内与对应的掩膜区域之间的距离小于等于第二预设距离的点所构成的区域为原始应力集中区域;
在所述边侧区域内除所述原始应力集中区域之外的其他区域内至少部分位置设置应力集中结构,所述应力集中结构包括:呈阵列排布的若干个凹槽。
9.根据权利要求8所述的掩膜条的制备方法,其特征在于,
所述凹槽为焊点槽,形成应力集中结构的步骤包括:
通过焊接设备在掩膜条主体表面且对应待形成凹槽的位置形成焊点槽;
或者,所述凹槽为刻蚀槽,形成应力集中结构的步骤包括:
通过刻蚀液在所述掩膜条主体表面且对应待形成凹槽的位置形成刻蚀槽。
10.根据权利要求9所述的掩膜条的制备方法,其特征在于,当所述凹槽为焊点槽时,所述应力集中结构中的各所述焊点槽均不相交。
11.根据权利要求9所述的掩膜条的制备方法,其特征在于,在掩膜条主体表面形成焊点槽的过程中,焊接头的输出能量为0.1J~0.2J,处理时间为0.5ms~1ms。
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