[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

封装基板；以及

堆叠在该封装基板上的IC晶粒与内存晶粒，其中该IC晶粒具有射频电路；

其中，该内存晶粒完全覆盖该封装基板的第一表面部分，以定义该封装基板的从该内存晶粒露出的第二表面部分，该IC晶粒部分地覆盖该封装基板的该第一表面部分以及该第二表面部分；

其中，该射频电路包括：第一敏感元件区，对应该封装基板的该第二表面部分，以及第二敏感元件区，对应该封装基板的该第一表面部分，并且从俯视的视角来看，该第二敏感元件区相对于该内存晶粒的内存I/O电路径具有偏移；

其中该内存晶粒的内存I/O电路径至少包括：重分布层；从俯视的视角来看，该重分布层具有与该IC晶粒重叠的部分，并且该第二敏感元件区相对于该重分布层与该IC晶粒重叠的部分具有偏移。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该IC晶粒设置在该内存晶粒之上或者该内存晶粒设置在该IC晶粒之上。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：间隔物，插入在该IC晶粒与该内存晶粒之间。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该间隔物为虚设晶粒。

5.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该间隔物包括：重分布层结构，耦合在该IC晶粒与该内存晶粒之间。

6.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，当该IC晶粒设置在该内存晶粒之上时，该间隔物或者该内存晶粒包括：金属板，直接位于该射频电路的该第二敏感元件区的下方。

7.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，当该IC晶粒设置在该内存晶粒之上时，该内存晶粒包括：金属板，直接位于该射频电路的该第二敏感元件区的下方。

8.如权利要求6或7所述的半导体封装结构，其特征在于，该金属板电性连接至地。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一敏感元件区及该第二敏感元件区均包括如下至少一项：射频发射器、射频接收器、射频合成器、射频平衡不平衡转换器以及射频电感器。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二敏感元件区进一步对应该封装基板的该第二表面部分，并且从俯视的视角来看，该第二敏感元件区与该第一敏感元件区隔开。

11.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该封装基板的该第二表面部分具有互连区，耦合至该第一敏感元件区与该第二敏感元件区，并且从俯视的视角来看，该第一敏感元件区位于该互连区与该内存晶粒之间或者该互连区的至少一部分被该第一敏感元件区覆盖。

12.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

封装基板；以及

堆叠在该封装基板上的IC晶粒与内存晶粒，其中该IC晶粒具有射频电路；

其中，该内存晶粒设置在该IC晶粒上或者该IC晶粒设置在该内存晶粒之上，并且该内存晶粒具有内存I/O电路径；

其中，该射频电路包括：敏感元件区，并且从俯视的视角来看，该敏感元件区与该内存晶粒的该内存I/O电路径不重叠；

其中该内存I/O电路径至少包括：重分布层；从俯视的视角来看，该重分布层与该IC晶粒具有重叠的部分，并且该敏感元件区与该重分布层与该IC晶粒重叠的部分不重叠。