[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基底层；

层叠体，其设置于所述基底层上，并且具有隔着空隙层叠的多个电极层、在所述多个电极层的层叠方向上层叠的多个选择栅层以及设置于在所述层叠方向上相邻的选择栅层之间的绝缘层；

半导体主体，其在所述层叠体内在所述层叠方向上延伸；以及

电荷蓄积部，其设置在所述半导体主体与所述电极层之间，

所述多个选择栅层，具有设置于比所述多个电极层中最上层的电极层靠上的位置并且隔着所述绝缘层在所述层叠方向上相邻的多个漏侧选择栅，

还具备侧壁膜，所述侧壁膜设置于将所述层叠体分离成多个块并且与所述空隙相连的缝隙中的、层叠了所述多个漏侧选择栅和所述绝缘层的部分的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

还具备在所述侧壁膜的上端附近堵塞所述缝隙的上端的密封膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述多个选择栅层，具有设置于比所述多个电极层中最下层的电极层靠下的位置并且隔着所述绝缘层在所述层叠方向上相邻的多个源侧选择栅。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

还具备设置于将所述层叠体分离成多个块的缝隙内的所述绝缘层的侧方的被覆膜。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，

还具备设置于比所述层叠体靠上的位置并且厚度比一层所述电极层的厚度和一层所述源侧选择栅的厚度都厚的漏侧选择栅。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，

还具备设置于将所述层叠体分离成多个块的缝隙内的所述层叠体的侧方并且将所述空隙的端部闭塞的绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

还具备设置于所述缝隙侧的所述电极层的端部与所述绝缘膜之间的盖膜。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

一层所述电极层的厚度与一层所述选择栅层的厚度大致相同。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述层叠体，还具备设置于所述基底层与最下层的源侧选择栅之间并且厚度比一层所述电极层的厚度和一层所述选择栅层的厚度都厚的导电层。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述基底层具有掺杂了杂质的半导体区域，

所述半导体主体与所述半导体区域相接触。

11.一种半导体装置的制造方法，包括：

在基底层上形成层叠体的步骤，所述层叠体具有包括交替地层叠的第一层和第二层的多个所述第一层和多个所述第二层；

形成将所述层叠体分离成多个块的缝隙的步骤；

在所述缝隙内形成被覆膜并且使所述被覆膜的上端位于至少从上起第二个所述第一层的上表面以下的高度的位置的步骤；

在比所述被覆膜靠上的所述缝隙的侧面形成侧壁膜的步骤；

在一边残留所述侧壁膜、一边将所述被覆膜去除或使所述被覆膜的所述上端后退之后，利用通过了所述缝隙的蚀刻将所述缝隙侧的端部未被所述侧壁膜和所述被覆膜覆盖的所述第二层去除，在去除了所述第二层的部分形成空隙的步骤；以及

一边残留所述空隙、一边形成将所述缝隙的上端堵塞的密封膜的步骤。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，

所述密封膜，在所述侧壁膜的上端附近堵塞所述缝隙的所述上端，

所述空隙，与被所述密封膜堵塞的所述缝隙的内部空间相连。