[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板的制备方法包括采用刻蚀工艺在衬底的一侧形成含硅材料膜层的步骤，衬底通过顶针设于刻蚀腔室内，在形成含硅材料薄膜层之前，还包括：在衬底待形成含硅材料薄膜层的另一侧形成刻蚀保护层，刻蚀保护层使得衬底背面对应着顶针区的刻蚀速率与对应着非顶针区的刻蚀速率一致。该阵列基板一方面将现有的阵列基板的9Mask工艺减少使用一道掩模板成为8Mask工艺，能够有效的降低制备过程中的工艺难度；另一方面，通过在玻璃衬底的背面沉积一层SiNx来消除刻蚀不均引起的差异，进而消除刻蚀Pin Mura的产生。其中的刻蚀保护层特别适用于消除含硅材料刻蚀工艺中的衬底背面的刻蚀差异。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前，LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示装置)和OLED(Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)显示装置已经成为平板显示的主流，二者均采用薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)形成阵列基板作为显示控制，薄膜晶体管不可避免的采用含硅材料。随着显示技术的发展，出现了低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)形成阵列基板的背板技术，由于高迁移率带来的高开口率、以及可实现GOA(Gate on Array)等原因，使得基于该背板技术的显示面板相比于非晶硅a-Si背板技术的显示面板具有更优良的显示效果

背板中的含硅材料膜层通常采用电感耦合等离子体(Inductive CouplePlasmas，简称ICP)的干法刻蚀(Dry Etch)工艺进行图案化。通常情况下，a-Si背板采用4-5道掩模板(Mask)；而LTPS背板需要9道以上掩模板，其中采用Mo材料形成光遮挡层(LightShield Layer，简称LS)，通过构图工艺将其图案化，再进行缓冲层(Buffer)和有源层(Active)的图案化，存在工艺复杂、成本较高等问题。若采用含硅的遮光材料节省掩模板，则由于LTPS背板的构图工艺包括干法刻蚀工艺，因刻蚀过程中需通过多颗顶针(Pin)悬浮设于刻蚀腔室内，在对应着顶针的区域会引起异常母拉(Pin Mura)不良。

设计一种阵列基板及其相应的制备方法，减少LTPS背板制程中使用的掩模板数量，同时消除异常母拉不良，成为目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足，提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能有效减少LTPS背板制程中使用的掩模板数量，同时消除异常母拉不良，从而有效降低制备成本，同时提升产能。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板的制备方法，包括采用刻蚀工艺在衬底的一侧形成含硅材料膜层的步骤，所述衬底通过顶针设于刻蚀腔室内，在形成含硅材料薄膜层之前，还包括：在所述衬底待形成所述含硅材料薄膜层的另一侧形成刻蚀保护层，所述刻蚀保护层使得所述衬底背面对应着顶针区的刻蚀速率与对应着非顶针区的刻蚀速率一致。

优选的是，在形成所述刻蚀保护层之前，还包括：在与所述刻蚀保护层同侧的所述衬底侧形成辅助刻蚀保护层的步骤，所述辅助刻蚀保护层相对于所述刻蚀保护层更靠近所述衬底，所述辅助刻蚀保护层用于释放所述刻蚀保护层对所述衬底的应力影响。

优选的是，所述刻蚀保护层采用沉积工艺形成，或者，所述辅助刻蚀保护层采用沉积工艺形成。

优选的是，所述刻蚀保护层采用透明材料形成，或者，所述辅助刻蚀保护层采用透明材料形成，所述透明材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的任一种。

优选的是，所述含硅材料膜层为非晶硅膜层、多晶硅膜层、氮化硅膜层、氧化硅膜层或氮氧化硅膜层。