[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括采用刻蚀工艺在衬底的一侧形成含硅材料膜层的步骤，所述衬底通过顶针设于刻蚀腔室内，其特征在于，在形成含硅材料膜层之前，还包括：在所述衬底待形成所述含硅材料膜层的另一侧形成刻蚀保护层，所述刻蚀保护层使得所述衬底背面对应着顶针区的刻蚀速率与对应着非顶针区的刻蚀速率一致。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述刻蚀保护层之前，还包括：在与所述刻蚀保护层同侧的所述衬底侧形成辅助刻蚀保护层的步骤，所述辅助刻蚀保护层相对于所述刻蚀保护层更靠近所述衬底，所述辅助刻蚀保护层用于释放所述刻蚀保护层对所述衬底的应力影响。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀保护层采用沉积工艺形成，或者，所述辅助刻蚀保护层采用沉积工艺形成。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀保护层采用透明材料形成，或者，所述辅助刻蚀保护层采用透明材料形成，所述透明材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的任一种。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述含硅材料膜层为非晶硅膜层、多晶硅膜层、氮化硅膜层、氧化硅膜层或氮氧化硅膜层。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述阵列基板还包括与所述有源层同侧依次相邻设置的缓冲层和光遮挡层，所述光遮挡层、所述缓冲层和所述有源层在同一构图工艺中形成，所述光遮挡层采用非晶硅材料形成。

7.一种阵列基板，包括设置在衬底的一侧的含硅材料膜层，其特征在于，还包括设置在所述衬底未设置所述含硅材料膜层的另一侧的刻蚀保护层，所述刻蚀保护层用于使得所述衬底背面的刻蚀速率一致；在所述衬底与所述刻蚀保护层之间，还设置有辅助刻蚀保护层，所述辅助刻蚀保护层相对于所述刻蚀保护层更靠近所述衬底，所述辅助刻蚀保护层用于释放所述刻蚀保护层对所述衬底的应力影响。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述阵列基板还包括与所述有源层同侧依次相邻设置的缓冲层和光遮挡层。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7或8所述的阵列基板。