[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，包括：基板；图案化形成在所述基板上的阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层；其中，所述第一像素界定层划分出多个像素单元，所述辅助阴极层设置在所述像素单元相对的两侧，且相邻两像素单元的辅助阴极层之间具有搭接区域；形成在所述辅助阴极层上的第二像素界定层；覆盖在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层及所述阳极层上的有机发光层；覆盖在所述有机发光层上的阴极层；其中，在所述搭接区域，所述有机发光层在靠近所述辅助阴极层处断裂，与所述辅助阴极层断开，所述阴极层与所述辅助阴极层搭接，从而解决了由于阴极电阻值较高，造成电压降严重，进而影响发光器件显示品质的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)相对于LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示器)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点被认为是下一代显示技术。

现有OLED器件通常由阳极层、发光层和阴极层组成，根据发光面不同可分为底发射和顶发射两种，由于顶发射器件可以获得更大的开口率，近年来成为研究的热点。顶发射OLED需要薄的阴极和反射阳极以增加光的透过率，而薄的透明阴极普遍存在电阻值较高，电压降(IR Drop)严重的问题，一般离电源供给地点越远的OLED发光面电压降越明显，从而导致OLED器件有明显的发光不均匀的现象。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决目前由于阴极电阻值较高，造成电压降严重，进而影响发光器件显示的品质的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种阵列基板，包括：

基板；

图案化形成在所述基板上的阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层；其中，所述第一像素界定层划分出多个像素单元，所述辅助阴极层设置在所述像素单元相对的两侧，且相邻两像素单元的辅助阴极层之间具有搭接区域；

形成在所述辅助阴极层上的第二像素界定层；

覆盖在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层及所述阳极层上的有机发光层；

覆盖在所述有机发光层上的阴极层；

其中，在所述搭接区域，所述有机发光层在靠近所述辅助阴极层处断裂，与所述辅助阴极层断开，所述阴极层与所述辅助阴极层搭接。

优选地，所述第二像素界定层在所述搭接区域的投影覆盖所述辅助阴极层在所述搭接区域的投影。

优选地，所述第二像素界定层的横截面为倒梯形。

优选地，所述第二像素界定层的厚度为0.2微米-1.5微米。

优选地，所述辅助阴极的材料包括：钼、铝、铜、银、铌中的至少一种，其中，所述辅助阴极的厚度为100纳米～700纳米。

优选地，所述辅助阴极的厚度为100纳米～700纳米。本发明还公开了一种显示面板，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

本发明还公开了一种阵列基板的制备方法，包括：

在基板上图案化形成阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层，其中，所述第一像素界定层划分出多个像素单元，所述辅助阴极层形成在所述像素单元相对的两侧，且相邻两像素单元的辅助阴极层之间具有搭接区域；

在所述辅助阴极层上形成第二像素界定层；

在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层以及所述阳极层上形成有所述有机发光层；

在所述有机发光层上形成所述阴极层；