[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201710736588.0 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107331691B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 高昕伟;王辉锋;王东方 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
图案化形成在所述基板上的阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层;其中,所述第一像素界定层划分出多个像素单元,所述辅助阴极层设置在所述像素单元相对的两侧,且相邻两像素单元的辅助阴极层之间具有搭接区域;
形成在所述辅助阴极层上的第二像素界定层;
覆盖在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层及所述阳极层上的有机发光层,所述第二像素界定层的横截面为倒梯形;
覆盖在所述有机发光层上的阴极层;
其中,在所述搭接区域,所述有机发光层在靠近所述辅助阴极层处断裂,与所述辅助阴极层断开,所述阴极层与所述辅助阴极层搭接;
所述第二像素界定层在所述搭接区域的投影覆盖所述辅助阴极层在所述搭接区域的投影,并且倒梯形的顶边宽度大于辅助阴极层底边对应的最大宽度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二像素界定层的厚度为0.2微米-1.5微米。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助阴极的材料包括:钼、铝、铜、银、铌中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助阴极的厚度为100纳米~700纳米。
5.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基板上图案化形成阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层,其中,所述第一像素界定层划分出多个像素单元,所述辅助阴极层形成在所述像素单元相对的两侧,且相邻两像素单元的辅助阴极层之间具有搭接区域;
在所述辅助阴极层上形成第二像素界定层;
在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层以及所述阳极层上形成有有机发光层,所述第二像素界定层的横截面为倒梯形;
在所述有机发光层上形成所述阴极层;
其中,在所述搭接区域,所述有机发光层在靠近所述辅助阴极层处断裂,与所述辅助阴极层断开,所述阴极层与所述辅助阴极层搭接,所述第二像素界定层在所述搭接区域的投影覆盖所述辅助阴极层在所述搭接区域的投影,并且倒梯形的顶边宽度大于辅助阴极层底边对应的最大宽度。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层以及所述阳极层上形成有所述有机发光层的 步骤,包括:
通过热蒸镀或者喷墨印刷方式形成有机发光层,以使在所述搭接区域,所述有机发光层在靠近所述辅助阴极层处断裂,与所述辅助阴极层断开。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述在所述有机发光层上形成所述阴极层,包括:
通过热蒸镀或者溅射镀膜的方式形成阴极层,以使在所述搭接区域,所述阴极层与所述辅助阴极层搭接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的