[发明专利]背光系统及其制造方法有效
| 申请号: | 201710736081.5 | 申请日: | 2017-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN107799507B | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
| 发明(设计)人: | 李国胜;张炜炽;赖宠文;陈柏辅;李昇翰;张志豪 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘永辉;徐丽 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 背光 系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种背光系统,包括背光模组;所述背光模组包括第一基板及设置于所述第一基板上的发光源阵列;所述发光源阵列包括多个同层设置的微型LED;其特征在于:所述背光模组定义多个等面积的发光区;每个所述发光区的发光亮度相同;每个所述发光区对应的所述微型LED的数量随机设置;所述微型LED包括正向微型LED和反向微型LED;所述微型LED的最大横截面尺寸为1至100微米;所述发光源阵列还包括第一导电层、第二导电层以及绝缘层;所述第一导电层被图案化形成多个第一导电单元;所述第一导电单元沿第一方向平行设置;所述第二导电层被图案化形成多个第二导电单元,所述第二导电单元沿与所述第一方向垂直的第二方向平行设置;所述绝缘层设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间,且在所述第一导电单元和所述第二导电单元的交叉处开设有穿孔;同一所述穿孔内收容有至少一个所述正向微型LED和至少一个所述反向微型LED,且至少一个所述正向微型LED和至少一个所述反向微型LED与所述第一导电单元和所述第二导电单元电性连接。
2.如权利要求1所述的背光系统,其特征在于:所述第一基板为绝缘材料制成;所述第一导电层设置于所述第一基板的表面上;所述微型LED设置于所述第一导电层远离所述第一基板的表面上,且与所述第一导电层电性连接;所述第二导电层设置于所述多个微型LED远离所述第一导电层的一侧;所述第一导电层用于给所述微型LED提供第一参考电压;所述第二导电层用于给所述微型LED提供第二参考电压;所述第一参考电压大于所述第二参考电压,且二者的差值大于所述微型LED的导通电压;所述正向微型LED在所述第一参考电压和所述第二参考电压的作用下发光;所述反向微型LED在所述第一参考电压和所述第二参考电压的作用下不发光。
3.如权利要求2所述的背光系统,其特征在于:每个所述第一导电单元对应一个所述发光区;所述第一导电单元用于接收不同的第一参考电压,以调整对应所述发光区的发光亮度。
4.如权利要求2所述的背光系统,其特征在于:所述背光模组还包括量子点薄膜;所述量子点薄膜设置于所述第二导电层远离所述第一基板一侧的表面上;所述量子点薄膜用于转换所述正向微型LED的光线。
5.如权利要求4所述的背光系统,其特征在于:所述背光模组还包括反射板;所述反射板设置于所述量子点薄膜远离所述第二导电层一侧的表面上;所述反射板用于反射穿过所述量子点薄膜转换的光线至所述第一基板以射出;所述反射板上设置有若干凹陷部;所述凹陷部由所述反射板与所述第一基板相对的表面向下凹陷形成。
6.如权利要求2所述的背光系统,其特征在于:所述正向微型LED包括第一电极、发光层以及第二电极;所述第二电极与所述第一导电层电性连接;所述发光层设置于所述第一电极和所述第二电极之间,用于在所述第一电极上的电压小于所述第二电极上的电压时发光;所述第二电极包括多层金属层,且最外层金属层由低熔点金属材料制成;所述第二电极最外层金属层的熔点低于所述第一电极的熔点。
7.如权利要求2所述的背光系统,其特征在于:所述背光系统还包括背光驱动模组;所述背光驱动模组通过连接线与所述第一导电层连接;所述背光驱动模组包括检测单元、设定单元以及控制单元;所述检测单元在所述第一导电层和所述第二导电层施加所述第一参考电压和所述第二参考电压,并检测所述发光区的当前亮度;所述设定单元预存有参考亮度;所述设定单元根据所述当前亮度与所述参考亮度进行比较,并根据比较结果设定每个所述发光区对应的调整参数,所述控制单元根据所述调整参数控制每个所述发光区的亮度等于所述参考亮度。
8.如权利要求7所述的背光系统,其特征在于:所述调整参数为第一参考电压;若所述当前亮度大于所述参考亮度,则所述发光区内正向微型LED的数量过多,所述设定单元降低所述第一参考电压;若所述当前亮度小于所述参考亮度,则所述发光区内正向微型LED的数量过少,所述设定单元提高所述第一参考电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710736081.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体封装件及其制造方法
- 下一篇:用于芯片‑桥电容器的封装体
- 同类专利
- 专利分类





