[发明专利]一种硅片清洗设备及清洗工艺

说明书

技术领域

本发明属于太阳能材料生产技术领域，尤其是涉及一种硅片清洗设备及清洗工艺。

背景技术

随着光伏行业的快速发展，市场竞争日益激烈。提高产品品质、降低生产成本是企业提高竞争力的主要途径之一。在硅片生产的过程中，清洗设备及清洗工艺是必不可少的也是至关重要的一个环节，现有的清洗设备及清洗工艺，能耗大，不利于节能环保，清洗后的一部分硅片仍然会有残留，导致脏片率高，而且清洗能力不足会造成的后道制绒沾污问题。

发明内容

本发明的目的是要解决现有技术中硅片清洗设备及清洗工艺的清洗能力不足，能耗大，不利于节能环保的问题，提供一种清洗设备及清洗工艺。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种硅片清洗设备，依次包括，

预清洗部：将硅片上的污染物软化、分离、溶解；

药液清洗部：去除硅片表面的油污；

第一漂洗部：去除硅片表面残留的药液；

化学液清洗部：去除有机物；

第二漂洗部：去除硅片表面的化学液；

慢提拉部：使硅片表面水分均匀。

进一步地，所述预清洗部依次包括储液器0和储液器1，所述药液清洗部依次包括储液器2、储液器3和储液器4，所述第一漂洗部包括储液器5，所述化学液清洗部包括储液器6，所述第二漂洗部依次包括储液器7、储液器8、储液器9和储液器10，所述慢提拉部包括储液器11。

进一步地，所述储液器8、储液器9和储液器10的外沿均设置坡度，且所述储液器8的最高外沿低于所述储液器9的最低外沿，所述储液器9的最高外沿低于所述储液器10的最高外沿。

进一步地，所述储液器8与所述储液器0之间设置第一周转水箱和第一循环泵，用于将储液器8内的液体泵入所述储液器0内。

进一步地，所述储液器11与所述储液器10之间设置第二周转水箱和第二循环泵，用于将储液器11内的液体泵入所述储液器10内。

进一步地，所述储液器内均包括注水口、出水口、加热管、液位传感器和PLC控制器，所述注水口和所述出水口设置在所述容器底部，所述PLC控制器控制所述加热管，所述液位传感器设置在所述容器内壁。

一种清洗硅片清洗工艺，依次包括如下步骤：

预清洗：硅片依次在储液器0和储液器1内清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；

药液清洗：将预清洗后的硅片依次在储液器2和储液器3和储液器4内清洗，去除硅片表面的油污；

第一次漂洗：将药液清洗后的硅片浸泡在储液器5内，去除硅片表面残留的药液；

化学液清洗：将第一次漂洗后的硅片浸泡在储液器6内，去除有机物；

第二次漂洗：将化学液清洗后的硅片依次浸泡在储液器7、储液器8、储液器9和储液器10内去除硅片表面的化学液；

慢提拉：将第二次漂洗后的硅片浸泡在储液器11内，通过机械手移除液面，使硅片表面水分均匀；

进一步地，所述化学液清洗采用浓度为10％-20％的氢氧化钾溶液和15％-16％的双氧水溶液的混合液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:2。

进一步地，所述化学液清洗的温度为40℃，清洗时间为240s。

进一步地，所述预清洗，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗均采用纯水清洗，清洗温度为40℃，清洗时间为240s。

本发明具有的优点和积极效果是：

1.硅片清洗设备通过依次设置的预清洗部、药液清洗部、第一漂洗部、化学液清洗部、第二漂洗部和慢提拉部组成，结合清洗液的作用，有效地改善了硅片表面的清洗效果，实现脏片率降低0.2％，制绒沾污不良降低0.8％，提高清洗效率和清洗质量。

2.化学液清洗采用氢氧化钾和双氧水溶液的混合液清洗，利用氧化-溶解-氧化-溶解的动态平衡反应，提高硅片表面的洁净度，提高了清洗能力，解决了由于清洗能力不足造成的后道制绒玷污的问题。

3.通过8槽、9槽、10槽设置为单边溢流，并且在8槽和0槽之间以及在11槽和10槽之间设置周转水箱和循环泵，周转水箱2并连接清洗槽体，换液时槽体内直接注入40℃温水，换液工时减少60％，单片水耗降低166％，清洗产量输出提高7.5％。

4.通过储液器内设置注水口、出水口、加热管、液位传感器和PLC控制器，实现清洗槽内的水位自动控制，具有生产效率高、清洗产品质量高、节能环保、使用方便、操作简单易行的优点。

附图说明

图1是本发明的硅片清洗工艺流程示意图；