[发明专利]一种硅片清洗设备及清洗工艺

权利要求书

1.一种硅片清洗设备，其特征在于：依次包括，

预清洗部：将硅片上的污染物软化、分离、溶解；

药液清洗部：去除硅片表面的油污；

第一漂洗部：去除硅片表面残留的药液；

化学液清洗部：去除有机物；

第二漂洗部：去除硅片表面的化学液；

慢提拉部：使硅片表面水分均匀。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述预清洗部依次包括储液器0和储液器1，所述药液清洗部依次包括储液器2、储液器3和储液器4，所述第一漂洗部包括储液器5，所述化学液清洗部包括储液器6，所述第二漂洗部依次包括储液器7、储液器8、储液器9和储液器10，所述慢提拉部包括储液器11。

3.根据权利要求2所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述储液器8、储液器9和储液器10的外沿均设置坡度，且所述储液器8的最高外沿低于所述储液器9的最低外沿，所述储液器9的最高外沿低于所述储液器10的最高外沿。

4.根据权利要求2或3所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述储液器8与所述储液器0之间设置第一周转水箱和第一循环泵，用于将储液器8内的液体泵入所述储液器0内。

5.根据权利要求2所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述储液器11与所述储液器10之间设置第二周转水箱和第二循环泵，用于将储液器11内的液体泵入所述储液器10内。

6.根据权利要求2所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述储液器内均包括注水口、出水口、加热管、液位传感器和PLC控制器，所述注水口和所述出水口设置在所述容器底部，所述PLC控制器控制所述加热管，所述液位传感器设置在所述容器内壁。

7.一种清洗硅片清洗工艺，其特征在于：依次包括如下步骤：

预清洗：硅片依次在储液器0和储液器1内清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；

药液清洗：将预清洗后的硅片依次在储液器2和储液器3和储液器4内清洗，去除硅片表面的油污；

第一次漂洗：将药液清洗后的硅片浸泡在储液器5内，去除硅片表面残留的药液；

化学液清洗：将第一次漂洗后的硅片浸泡在储液器6内，去除有机物；

第二次漂洗：将化学液清洗后的硅片依次浸泡在储液器7、储液器8、储液器9和储液器10内去除硅片表面的化学液；

慢提拉：将第二次漂洗后的硅片浸泡在储液器11内，通过机械手移除液面，使硅片表面水分均匀。

8.根据权利要求7所述的一种清洗硅片清洗工艺，其特征在于：所述化学液清洗采用浓度为10％-20％的氢氧化钾溶液和15％-16％的双氧水溶液的混合液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:2。

9.根据权利要求7或8所述的一种清洗硅片清洗工艺，其特征在于：所述化学液清洗的温度为40±2℃，清洗时间为240s。

10.根据权利要求7所述的一种清洗硅片清洗工艺，其特征在于：所述预清洗，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗均采用纯水清洗，清洗温度为40±2℃，清洗时间为240s。