[发明专利]一种硅片制备工艺在审

专利信息
申请号: 201710735081.3 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN107457921A 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 王少刚;刘晓伟;范猛;刘琦;刘涛;赵朋占;辛超;刘沛然;石海涛;杨旭洲;李建扬;米心愿;刘超;张猛;李彦楠;王宏伟;李海彬;孙青格勒;王心;贾瑞波 申请(专利权)人: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04;B28D7/04;B24B27/06;B08B3/08
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213 代理人: 栾志超
地址: 300384 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 制备 工艺
【说明书】:

技术领域

发明属于硅片加工领域,尤其是涉及一种硅片制备工艺。

背景技术

金刚石线切割机对于太阳能硅材料切割行业而言,是革命性的进步。硅片作为太阳能发电的主要原料,是太阳能电池最主要的原料;既然将金刚石线切割称之为革命性进步,显而易见的是该工艺一定有其独到的技术优势。原有钻石线切割工艺中粘棒过程采用人工粘棒,容易出现个体差异化。利用多线切割硅片是近年来发展成熟的新型硅片切割技术,其机理为机器槽轮在高速运转中带动缠绕在槽轮上的钢线,从而由钢线将切割液和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区,在钢线的高速运转中与压在线网上的工件通过连续摩擦完成切割的过程,但是在切割的过程中由于产生的粉尘和热量会对硅片表面造成影响,切割硅片的表面比较粗糙,硅材料损失大,TTV均值一般在20um左右,并不能满足高性能太阳能电池片的要求。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供一种硅片制备工艺。

本发明采用的技术方案是:一种硅片制备工艺,工艺步骤包括:

S1单晶粘接,将硅棒粘接到料板上,便于切割;

S2多线切割,用钻石线将硅棒切割成硅片;

S3脱胶,将切割好的硅片从料板上分离;

S4清洗,将硅片表面清洗干净。

优选地,S2步骤中多线切割具体步骤为:

S2-1上料,将粘接了硅棒的料板固定在切割设别中;

S2-2匀线网,调整钻石线,设置切割参数;

S2-3模拟切割,确认线网状态无跳线;

S2-4钻石线切割,通过钻石线将硅棒切割成硅片。

优选地,钻石线切割采用多线切割方式;

优选地,多线切割方式走线方式为正反切。

优选地,多线切割方式采用空槽线网。

优选地,钻石线切割过程中保持冷却液持续喷淋。

优选地,S4步骤中清洗具体步骤为:

S4-1硅片插片,将脱胶后的硅片插入花篮;

S4-2预清洗,将硅片上的污染物软化、分离、溶解;

S4-3药液清洗,将硅片表面的油污清洗干净;

S4-4化学液清洗,除去硅片表面原子、离子不可见的污染,将有机物分解去除;

S4-5漂洗,去除清洗过程中使用的清洗用药剂;

S4-6慢提拉,甩干烘干硅片表面;

优选地,药液清洗后进行中间漂洗,药液清洗进行两次,中间漂洗进行两次。

优选地,第二次药液漂洗采用溢流漂洗槽,增加槽体溢流进水管路。

优选地,S1步骤中单晶粘接具体步骤为:

S1-1粘树脂板,在料座上粘接树脂版;

S1-2粘单晶硅棒,在树脂版上方粘接硅棒;

S1-3固化,充分固定料座、树脂版和硅棒;

优选地,步骤S3步骤中脱胶具体步骤为:

S3-1鼓泡预清洗,去除硅片表面硅粉;

S3-2喷淋,使用温水对硅片进行喷淋;

S3-3超声预清洗,去除硅片缝隙的硅粉;

S3-4浸泡脱胶,将单晶硅片与粘接条之间脱离。

本发明具有的优点和积极效果是:

1通过上述工艺加工产品品质高、崩边、ttv、warp、花片等不良以及加工成本明显低于行业水平,提高了硅片的品质,并提高了良品率,降低了生产成本的同时也提高了生产效率;

2工艺步骤中使用自动化机械粘棒机替代了传统手工粘棒过程,使得粘棒效果更为统一,避免人工粘棒产生的差异,并且明显提高粘棒速度,节省了人工成本;

3通过变更硅片清洗过程中清洗槽内溶液品类和数量,提高了清洗效率,并且通过改变清洗槽的构造,使新的清洗过程能够在更为高效的同时保持或超过原有的清洗清洁程度;

4切割硅棒时采用空槽线网的多线切割方式,不仅能够提高切割效率,更能够均匀消耗钻石线,避免局部过度使用,提高钻石线的使用时长,也避免切割所得硅片品质差异过大。

具体实施方式

下面对本发明的一个实施例做出说明。

本发明涉及1一种硅片制备工艺,其特征在于:工艺步骤包括:1单晶粘 接;2多线切割;3脱胶;4清洗四个步骤。

1单晶粘接

将待切割硅片的方棒状单晶硅硅棒粘到料座上,采用树脂版两面刷胶分别粘接方柱状的单晶硅硅棒和料座,为后续切割硅棒做准备。

1.1水煮胶的制备

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