[发明专利]一种硅片制备工艺

权利要求书

1.一种硅片制备工艺，其特征在于：工艺步骤包括：

S1单晶粘接，将硅棒粘接到料板上，便于切割；

S2多线切割，用钻石线将硅棒切割成硅片；

S3脱胶，将切割好的硅片从料板上分离；

S4清洗，将硅片表面清洗干净。

2.根据权利要求1所述的硅片制备工艺，其特征在于：所述S2步骤中多线切割具体步骤为：

S2-1上料，将粘接了硅棒的料板固定在切割设别中；

S2-2匀线网，调整钻石线，设置切割参数；

S2-3模拟切割，确认线网状态无跳线；

S2-4钻石线切割，通过钻石线将硅棒切割成硅片。

3.根据权利要求2所述的硅片制备工艺，其特征在于：所述钻石线切割采用多线切割方式；

优选地，所述多线切割方式走线方式为正反切。

4.根据权利要求3所述的硅片制备工艺，其特征在于：所述多线切割方式采用空槽线网。

5.根据权利要求2所述的硅片制备工艺，其特征在于：所述钻石线切割过程中保持冷却液持续喷淋。

6.根据权利要求1所述的硅片制备工艺，其特征在于：所述S4步骤中清洗具体步骤为：

S4-1硅片插片，将脱胶后的硅片插入花篮；

S4-2预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；

S4-3药液清洗，将硅片表面的油污清洗干净；

S4-4化学液清洗，除去硅片表面原子、离子不可见的污染，将有机物分解去除；

S4-5漂洗，去除清洗过程中使用的清洗用药剂；

S4-6慢提拉，甩干烘干硅片表面；

优选地，所述药液清洗后进行中间漂洗，药液清洗进行两次，中间漂洗进行两次。

7.根据权利要求6所述的硅片制备工艺，其特征在于：第二次所述药液漂洗采用溢流漂洗槽，增加槽体溢流进水管路。

8.根据权利要求1所述的硅片制备工艺，其特征在于：所述S1步骤中单晶粘接具体步骤为：

S1-1粘树脂板，在料座上粘接树脂版；

S1-2粘单晶硅棒，在树脂版上方粘接硅棒；

S1-3固化，充分固定料座、树脂版和硅棒。

9.根据权利要求1所述的硅片制备工艺，其特征在于：所述步骤S3步骤中脱胶具体步骤为：

S3-1鼓泡预清洗，去除硅片表面硅粉；

S3-2喷淋，使用温水对硅片进行喷淋；

S3-3超声预清洗，去除硅片缝隙的硅粉；

S3-4浸泡脱胶，将单晶硅片与粘接条之间脱离。