[发明专利]半导体封装件及制造再分布图案的方法有效

专利信息
申请号: 201710733703.9 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN107818965B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 金钟润;李锡贤 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/60
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;田野
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 再分 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

再分布基底;

半导体芯片,安装在再分布基底上,半导体芯片在半导体芯片的一个表面上具有导电焊盘;

其中,再分布基底包括:第一钝化图案,位于导电焊盘上,第一钝化图案暴露导电焊盘的一部分;再分布图案,覆盖导电焊盘的被第一钝化图案暴露的所述一部分,并围绕第一钝化图案。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,再分布基底还包括位于所述一个表面上并位于第一钝化图案外部的第二钝化图案,所述第二钝化图案与第一钝化图案间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,再分布图案包括隔离区域,所述隔离区域填充第一钝化图案与第二钝化图案之间的空间。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,再分布基底还包括:

绝缘图案,位于导电焊盘与第二钝化图案之间。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,

再分布图案包括隔离区域,所述隔离区域填充第一钝化图案与第二钝化图案之间的空间,

绝缘图案的一部分位于导电焊盘与隔离区域之间。

6.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,

再分布图案填充第一钝化图案与第二钝化图案之间的空间;

绝缘图案的一部分位于导电焊盘与第一钝化图案之间。

7.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,第二钝化图案的一部分位于导电焊盘上。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,当从平面图观察时,第一钝化图案的外侧壁位于导电焊盘的边缘内侧。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,当从平面图观察时,第一钝化图案的外侧壁位于导电焊盘的边缘外侧。

10.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

基底,包括位于基底的一个表面上的第一导电焊盘;

半导体芯片,位于基底上,半导体芯片包括位于半导体芯片的一个表面上的第二导电焊盘,

其中,基底还包括:多个再分布图案,将第一导电焊盘电连接到第二导电焊盘;第一钝化图案和第二钝化图案,位于第二导电焊盘上,第一钝化图案和第二钝化图案彼此横向间隔开,所述多个再分布图案中的至少一个再分布图案覆盖第一钝化图案。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述至少一个再分布图案与半导体芯片的第二导电焊盘接触。

12.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述至少一个再分布图案包括隔离区域,所述隔离区域填充第一钝化图案与第二钝化图案之间的空间。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

绝缘图案,位于半导体芯片的第二导电焊盘与隔离区域之间。

14.根据权利要求10所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

屏蔽图案,从再分布图案延伸并填充第一钝化图案与第二钝化图案之间的空间,屏蔽图案具有比再分布图案的吸湿性低的吸湿性。

15.根据权利要求14所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

绝缘图案,位于半导体芯片的第二导电焊盘与屏蔽图案之间。

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